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龙图腾网获悉株式会社东芝;东芝电子元件及存储装置株式会社申请的专利半导体装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114188420B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-25发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110818276.0，技术领域涉及：H10D8/00；该发明授权半导体装置是由花形祥子设计研发完成，并于2021-07-20向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体装置在说明书摘要公布了：实施方式提供能够提高电流断路时的电气特性的半导体装置。实施方式的半导体装置包括第1电极、第1导电型的多个第1半导体区域、第2导电型的多个第2半导体区域、第1导电型的第3半导体区域、第2导电型的多个第4半导体区域、第2导电型的多个第5半导体区域、第2电极。第1、2半导体区域设置于第1电极之上。第3半导体区域设置于第1及第2半导体区域之上。第4半导体区域设置于第3半导体区域之上。第5半导体区域设置于第3半导体区域之上。第2电极设置于第4及第5半导体区域之上。第2及第5半导体区域在与第1方向以及第2方向垂直的第3方向上延伸。多个第5半导体区域位于多个第2半导体区域各自的正上方。

本发明授权半导体装置在权利要求书中公布了：1.一种半导体装置，具有： 第1电极； 第1导电型的多个第1半导体区域，设置于所述第1电极之上； 第2导电型的多个第2半导体区域，设置于所述第1电极之上，在与从所述第1电极朝向所述多个第1半导体区域的第1方向垂直的第2方向上与所述多个第1半导体区域并排，并在与所述第1方向以及所述第2方向垂直的第3方向上延伸； 第1导电型的第3半导体区域，设置于所述第1半导体区域以及所述多个第2半导体区域之上，具有比所述第1半导体区域低的第1导电型的杂质浓度； 第2导电型的多个第4半导体区域，设置于所述第3半导体区域之上； 第2导电型的多个第5半导体区域，设置于所述第3半导体区域之上，在所述第2方向上与所述多个第4半导体区域并排，并在所述第3方向上延伸，具有比所述多个第4半导体区域高的第2导电型的杂质浓度，至少一部分位于所述多个第2半导体区域各自的正上方；以及 第2电极，设置于所述多个第4半导体区域以及所述多个第5半导体区域之上， 所述第5半导体区域在所述第2方向上的宽度比所述第2半导体区域在所述第2方向上的宽度窄， 所述多个第2半导体区域在所述第2方向上的间距是所述多个第5半导体区域在所述第2方向上的间距的自然数倍。

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