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龙图腾网获悉长鑫存储技术有限公司申请的专利一种闩锁结构的识别方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115602559B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-25发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110773251.3，技术领域涉及：H01L21/66；该发明授权一种闩锁结构的识别方法是由许杞安设计研发完成，并于2021-07-08向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种闩锁结构的识别方法在说明书摘要公布了：本发明实施例公开了一种闩锁结构的识别方法，所述方法包括：在芯片版图中，找出与第一输入输出焊盘相连接的，且位于P型衬底内的第一N型重掺杂区；找出与所述第一N型重掺杂区相邻的，且位于N阱内的第一P型重掺杂区和位于所述P型衬底内的第二P型重掺杂区；找出与所述第一P型重掺杂区相邻的，且位于所述N阱内的第二N型重掺杂区；其中，所述N阱位于所述P型衬底上；所述第一P型重掺杂区、所述第一N型重掺杂区、所述第二P型重掺杂区、所述第二N型重掺杂区、所述N阱以及所述P型衬底构成的区域即为识别出的闩锁结构。

本发明授权一种闩锁结构的识别方法在权利要求书中公布了：1.一种闩锁结构的识别方法，其特征在于，所述方法包括： 在芯片版图中，找出与第一输入输出焊盘相连接的，且位于P阱内的第一P型重掺杂区； 找出与所述第一P型重掺杂区相邻的，且位于P型衬底内的第一N型重掺杂区和位于N阱内的第二N型重掺杂区； 找出与所述第一N型重掺杂区相邻的，且位于所述P型衬底内的第二P型重掺杂区；其中，所述P阱位于深N阱内，所述深N阱位于所述N阱内，所述N阱位于所述P型衬底上； 所述第一P型重掺杂区、所述第一N型重掺杂区、所述第二P型重掺杂区、所述第二N型重掺杂区、所述P阱、所述深N阱、所述N阱以及所述P型衬底构成的区域即为识别出的闩锁结构；或者， 在芯片版图中，找出与第一输入输出焊盘相连接的，且位于P型衬底内的第一N型重掺杂区； 找出与所述第一N型重掺杂区相邻的，且位于P阱内的第一P型重掺杂区和位于所述P型衬底内的第二P型重掺杂区； 找出与所述第一P型重掺杂区相邻的，且位于N阱内的第二N型重掺杂区；其中，所述P阱位于深N阱内，所述深N阱位于所述N阱内，所述N阱位于所述P型衬底上； 所述第一P型重掺杂区、所述第一N型重掺杂区、所述第二P型重掺杂区、所述第二N型重掺杂区、所述P阱、所述深N阱、所述N阱以及所述P型衬底构成的区域即为识别出的闩锁结构。

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