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龙图腾网获悉长鑫存储技术有限公司;北京超弦存储器研究院申请的专利磁性随机存取存储器的制造方法及磁性随机存取存储器获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115666205B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-25发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110773301.8，技术领域涉及：H10N50/01；该发明授权磁性随机存取存储器的制造方法及磁性随机存取存储器是由王晓光;李辉辉;胡献琴设计研发完成，并于2021-07-08向国家知识产权局提交的专利申请。

本磁性随机存取存储器的制造方法及磁性随机存取存储器在说明书摘要公布了：本发明提供一种磁性随机存取存储器的制造方法及磁性随机存取存储器，该方法包括：在半导体衬底上依次制作底电极通孔、底电极、磁性隧道结构、顶电极以及绝缘层；在绝缘层上形成第一层间介电层；在第一层间介电层上形成蚀刻停止层；在蚀刻停止层上形成第二层间介电层；蚀刻位于顶电极上方的第二层间介电层至蚀刻停止层，形成第一沟槽；对第一沟槽底部对应的第一层间介电层进行倾斜的自对准注入；继续蚀刻第一沟槽至顶电极的顶部端面，形成第二沟槽，第一沟槽和第二沟槽贯通形成过孔，第二沟槽的关键尺寸自第一沟槽的底部位置向靠近顶电极的方向逐渐减小；向过孔中填充顶电极接触。本发明的制造方法避免了磁性隧道结构性能恶化，提高了生产良率。

本发明授权磁性随机存取存储器的制造方法及磁性随机存取存储器在权利要求书中公布了：1.一种磁性随机存取存储器的制造方法，其特征在于， 包括： 在半导体衬底上依次制作底电极通孔、底电极、磁性隧道结构、顶电极以及绝缘层； 在所述绝缘层上形成第一层间介电层； 在所述第一层间介电层上形成蚀刻停止层； 在所述蚀刻停止层上形成第二层间介电层； 蚀刻位于所述顶电极上方的所述第二层间介电层至所述蚀刻停止层，形成第一沟槽； 对所述第一沟槽底部对应的所述第一层间介电层进行倾斜的自对准注入，形成自对准注入区域； 继续蚀刻所述第一沟槽至所述顶电极的顶部端面，形成第二沟槽，所述第一沟槽和所述第二沟槽贯通形成过孔，所述第二沟槽的关键尺寸自所述第一沟槽的底部位置向靠近所述顶电极的方向逐渐减小； 向所述过孔中填充顶电极接触； 其中，所述自对准注入区域的横截面为倒梯形，所述自对准注入区域中的离子注入浓度为自所述第一层间介电层的顶端向靠近所述顶电极的方向逐渐减小，和或，所述自对准注入区域中的离子注入浓度为自所述自对准注入区域的横截面的中垂线沿第一方向向远离所述中垂线的两侧逐渐减小。

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