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龙图腾网获悉京东方科技集团股份有限公司;武汉京东方光电科技有限公司申请的专利双栅极结构的阵列基板、显示面板以及电子设备获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113253529B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-25发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110685647.2，技术领域涉及：G02F1/1362；该发明授权双栅极结构的阵列基板、显示面板以及电子设备是由刘信;高玉杰;郭坤;杨志;程石;王静;盛子沫;谢斌;高翔宇;冯俊设计研发完成，并于2021-06-21向国家知识产权局提交的专利申请。

本双栅极结构的阵列基板、显示面板以及电子设备在说明书摘要公布了：本公开提供了一种双栅极结构的阵列基板、显示面板以及电子设备，该阵列基板包括：多条栅线、多条数据线，相邻的两条数据线之间设置有两列子像素区域，相邻的两行子像素区域之间设置有两条栅线；阵列基板中每个像素组中的每个子像素区域的第一电容和第二电容的和值均相同。本公开通过调整阵列基板内每个像素组中各个子像素区域的相关结构来实现像素组中所有子像素区域对应的第一电容和第二电容的和值均相同，进而保证子像素区域因栅线跳变电压导致像素电压浮动的程度相同，使所有子像素区域的亮度变化相同，避免摇头纹的产生，达到更好的显示效果，提升用户的使用体验。

本发明授权双栅极结构的阵列基板、显示面板以及电子设备在权利要求书中公布了：1.一种双栅极结构的阵列基板，其特征在于，至少包括：多条栅线、多条数据线，相邻的两条数据线之间设置有两列子像素区域，相邻的两行子像素区域之间设置有两条栅线； 所述阵列基板中每个像素组中任意一个子像素区域的第一电容和第二电容的和值与像素组内其他子像素区域的第一电容和第二电容的和值之间的误差处于预设误差范围内；其中， 所述像素组为相邻两条所述数据线之间按照2*2的矩阵阵列排布的多个子像素区域； 所述第一电容为每个所述子像素区域所对应的栅线部分以及该子像素区域的源漏极之间的电容； 所述第二电容为每个所述子像素区域所对应的栅线部分以及该子像素区域的像素电极之间的电容； 每个所述像素组中至少存在一个所述子像素区域的栅线部分与该子像素区域靠近栅线一侧的像素电极的边缘之间的距离与该像素组中其他子像素区域的距离不同； 在所述像素组中，位于所述矩阵阵列中第一行第一列的子像素区域为第一子像素区域，位于第一行第二列的子像素区域为第二子像素区域，位于第二行第一列的子像素区域为第三子像素区域，位于第二行第二列的子像素区域为第四子像素区域； 所述第三子像素区域的所述距离大于所述像素组内其他任意一个子像素区域的所述距离，所述第二子像素区域的所述距离大于所述第一子像素区域和所述第四子像素区域的所述距离，所述第一子像素区域的所述距离大于所述第四子像素区域的所述距离。

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