美光科技公司杨博智获国家专利权
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
龙图腾网获悉美光科技公司申请的专利利用聚合物沉积技术保护管芯隅角获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113809006B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-25发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110647223.7，技术领域涉及：H01L21/78；该发明授权利用聚合物沉积技术保护管芯隅角是由杨博智设计研发完成，并于2021-06-10向国家知识产权局提交的专利申请。
本利用聚合物沉积技术保护管芯隅角在说明书摘要公布了：本申请涉及通过使用聚合物沉积技术的管芯隅角保护。一种用于分离半导体管芯组件的半导体管芯的方法包括在组件的第一表面上沉积第一涂层。组件包括具有多个半导体管芯以及第一表面和第二表面的管芯晶片。在相邻的半导体管芯之间移除管芯晶片的第一部分和第一涂层，以在管芯晶片中第一表面和第二表面之间形成具有中间深度的沟槽，使得管芯隅角形成在沟槽的任一侧上。在管芯组件的第一表面上沉积保护涂层，以覆盖管芯隅角、沟槽和第一涂层的至少一部分。选择性地移除第一涂层，使得保护涂层的覆盖管芯隅角和沟槽的部分保留在管芯晶片上。将相邻的半导体管芯彼此分离，并且使保护涂层保持覆盖管芯隅角。
本发明授权利用聚合物沉积技术保护管芯隅角在权利要求书中公布了：1.一种用于分离半导体管芯组件的半导体管芯的方法，包括： 在半导体管芯组件的第一表面上沉积第一涂层，所述半导体管芯组件包括具有多个半导体管芯的管芯晶片，所述管芯晶片具有所述第一表面和第二表面； 移除所述第一涂层的一部分和所述管芯晶片的相邻的半导体管芯之间的第一部分，以在所述管芯晶片中所述第一表面和所述第二表面之间形成具有中间深度的沟槽，使得相邻的半导体管芯的管芯隅角形成在所述沟槽的任一侧上； 在所述管芯组件的所述第一表面上沉积保护涂层，所述保护涂层覆盖所述管芯隅角、所述沟槽和所述第一涂层的至少一部分； 选择性地移除所述第一涂层，使得所述保护涂层的覆盖所述管芯隅角和所述沟槽的部分保留在所述管芯晶片上；以及 将相邻的半导体管芯彼此分离，使得所述保护涂层保持覆盖所述管芯隅角。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人美光科技公司，其通讯地址为：美国爱达荷州；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号