台湾积体电路制造股份有限公司蔡俊雄获国家专利权
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龙图腾网获悉台湾积体电路制造股份有限公司申请的专利制造半导体器件的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113284851B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-25发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110497055.8，技术领域涉及：H10D84/01；该发明授权制造半导体器件的方法是由蔡俊雄;林佑明;游国丰;叶明熙;沙哈吉·B·摩尔;钱德拉谢卡尔·普拉卡斯·萨万特;柯志欣;万幸仁设计研发完成，并于2021-05-07向国家知识产权局提交的专利申请。
本制造半导体器件的方法在说明书摘要公布了：在制造半导体器件的方法中，通过图案化半导体层来形成鳍结构，并且在鳍结构上执行退火操作。在半导体层的图案化中，在鳍结构的侧壁上形成受损区域，并且退火操作消除了该受损区域。
本发明授权制造半导体器件的方法在权利要求书中公布了：1.一种用于制造半导体器件的方法，所述方法包括： 通过图案化半导体层形成鳍结构；以及 在所述鳍结构上进行退火操作，在所述退火操作之后，在所述鳍结构上执行图案化操作以将所述鳍结构分成多个，其中： 图案化包括在所述鳍结构的侧壁上形成受损区域，并且 所述退火操作消除所述受损区域； 其中，在所述退火操作和将所述鳍结构分成多个的所述图案化操作之间： 在所述鳍结构上方形成衬里半导体层； 在所述鳍结构上执行第一湿蚀刻操作；以及 在所述鳍结构上方形成第一盖半导体层。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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