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龙图腾网获悉中国计量大学申请的专利一种背面照射的单光子雪崩二极管及其制作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113284971B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-25发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110400215.2，技术领域涉及：H10F30/225；该发明授权一种背面照射的单光子雪崩二极管及其制作方法是由赵天琦;储童;冯桂兰;潘劲旅;林春兰;郭锴悦设计研发完成，并于2021-04-14向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种背面照射的单光子雪崩二极管及其制作方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种背面照射的单光子雪崩二极管及其制作方法，属于单光子探测技术领域。该背面照射的单光子雪崩二极管，包括P型外延层，在所述的P型外延层的内部设置P+重掺杂区，在所述的P+重掺杂区的外围同轴设置P‑低掺杂区，在所述的P‑低掺杂区的下方同轴设置P型雪崩掺杂区，在所述的P+重掺杂区的两侧设置N+重掺杂区，在所述的N+重掺杂区的下方同轴设置N阱区，在所述的P型雪崩掺杂区下方间隔设置N型雪崩掺杂区，在所述的N型雪崩掺杂区的下方设置N‑低掺杂区。本发明采用光从背面照射的方式，优化器件结构，将器件的外围电路集成在器件的下方。提高了器件的探测效率。P型雪崩掺杂区、P型外延层中心区与N型雪崩掺杂区形成雪崩结，采用次结构显著降低器件的暗计数率。

本发明授权一种背面照射的单光子雪崩二极管及其制作方法在权利要求书中公布了：1.一种背面照射的单光子雪崩二极管，其特征在于：包括P型外延层1，在所述的P型外延层1的内部设置P+重掺杂区2，在所述的P+重掺杂区2的外围同轴设置P-低掺杂区3，在所述的P-低掺杂区3的下方同轴设置P型雪崩掺杂区4，在所述的P+重掺杂区2的两侧设置N+重掺杂区5，在所述的N+重掺杂区5的下方同轴设置N阱区6，在所述的P型雪崩掺杂区4下方间隔设置N型雪崩掺杂区7，在所述的N型雪崩掺杂区7的下方设置N-低掺杂区8； 所述的P+重掺杂区2被包含在P-低掺杂区3的内部；所述的P型雪崩掺杂区4与P-低掺杂区3、N型雪崩掺杂区7与N-低掺杂区8均有部分重叠；P型外延层中心区101为P型外延层1的一部分；所述的P型雪崩掺杂区4与N型雪崩掺杂区7中间被外延层中心区101间隔开；在所述的N+重掺杂区5上端引出阴极9；在所述的P+重掺杂区2上端引出阳极10； 背面照射的单光子雪崩二极管的制作方法，包括以下步骤： 1用外延工艺生长出P型外延层1； 2在P型外延层1上端面热生长二氧化硅层； 3在二氧化硅层上旋涂光刻胶，通过掩模版选择性曝光和显影，暴露出P+重掺杂区2所在区域的二氧化硅层； 4通过刻蚀工艺，将所述的P+重掺杂区2所在区域的二氧化硅清除，暴露出所述的P型外延硅； 5离子注入P型杂质后，去除所述的光刻胶；形成所述的P+重掺杂区2； 6在所述步骤5形成的结构上端面旋涂光刻胶，通过曝光显影工艺，暴露出所述的P-低掺杂区3所在区域，通过离子注入P型杂质，形成所述的P-低掺杂区3；去除所述光刻胶； 7在步骤6形成的结构上端面旋涂光刻胶，通过曝光显影工艺，暴露出所述的P型雪崩掺杂区4所在区域；通过离子注入P型杂质，形成所述的P型雪崩掺杂区4；去除所述光刻胶； 8在所述步骤7形成的结构上端面旋涂光刻胶，通过曝光显影工艺，暴露出所述的N+重掺杂区5所在区域；通过离子注入N型杂质，形成所述的N+重掺杂区5；去除所述光刻胶； 9在所述步骤8形成的结构上端面旋涂光刻胶，通过曝光显影工艺，暴露出所述的N阱区6所在区域；通过离子注入N型杂质，形成所述的N阱区6，去除所述光刻胶； 10在所述步骤9形成的结构上端面旋涂光刻胶，通过曝光显影工艺，暴露出所述的N型雪崩掺杂区7所在区域；通过离子注入N型杂质，形成所述的N型雪崩掺杂区7；去除所述光刻胶； 11在所述步骤10形成的结构上端面旋涂光刻胶，通过曝光显影工艺，暴露出所述的N-低掺杂区8所在区域；通过离子注入N型杂质，形成所述的N-低掺杂区8；去除所述光刻胶； 12进行退火工艺； 13在所述步骤12形成的结构上端面淀积一定厚度的二氧化硅保护层； 14在所述步骤13形成的结构上端面旋涂光刻胶，通过曝光显影工艺，暴露出所述的阴极9和阳极10所在区域；通过刻蚀工艺，清除所述的阴极9和阳极10所在区域淀积的二氧化硅；去除所述光刻胶； 15在所述步骤14形成的结构上端面，利用磁控溅射的工艺，淀积金属铝； 16在所述步骤15形成的结构上端面旋涂光刻胶，通过曝光显影工艺，暴露所述的阴极9和阳极10所在区域之外的区域；通过刻蚀工艺，清除所述的阴极9和阳极10所在区域之外的区域的金属铝；去除所述光刻胶； 17通过热处理工艺，完成所述步骤16形成的结构中阴极9和阳极10的合金化。

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