长鑫存储技术有限公司尚为兵获国家专利权
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龙图腾网获悉长鑫存储技术有限公司申请的专利半导体存储器和数据写入方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115167754B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-25发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110355210.2，技术领域涉及：G06F3/06；该发明授权半导体存储器和数据写入方法是由尚为兵;李红文;冀康灵设计研发完成，并于2021-04-01向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体存储器和数据写入方法在说明书摘要公布了：本申请实施例涉及一种半导体存储器和数据写入方法，所述半导体存储器包括：至少一个存储阵列，所述存储阵列包括多个数据存储单元和多个校验位存储单元；校验模块，用于接收写入数据，并根据所述写入数据生成校验数据；数据传输模块，分别与所述校验模块、所述存储阵列连接，用于传输所述写入数据至所述数据存储单元，并传输所述校验数据至所述校验位存储单元；其中，所述校验数据的第一传输时长短于所述写入数据的第二传输时长，所述第一传输时长为所述校验数据由数据传输模块传输至校验位存储单元所需的时长，所述第二传输时长为所述写入数据由数据传输模块传输至数据存储单元所需的时长。
本发明授权半导体存储器和数据写入方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体存储器，其特征在于，包括： 至少一个存储阵列，所述存储阵列包括多个数据存储单元和多个校验位存储单元； 校验模块，用于接收写入数据，并根据所述写入数据生成校验数据； 数据传输模块，分别与所述校验模块、所述存储阵列连接，用于传输所述写入数据至所述数据存储单元，并传输所述校验数据至所述校验位存储单元； 其中，所述校验数据的第一传输时长短于所述写入数据的第二传输时长，所述第一传输时长为所述校验数据由数据传输模块传输至校验位存储单元所需的时长，所述第二传输时长为所述写入数据由数据传输模块传输至数据存储单元所需的时长； 所述校验模块包括第一校验单元和第二校验单元，所述数据传输模块包括第一传输单元和第二传输单元，位于相邻列的两个所述存储单元中的一个经由所述第一传输单元连接至所述第一校验单元，另一个经由所述第二传输单元连接至所述第二校验单元。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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