台湾积体电路制造股份有限公司蔡柏豪获国家专利权
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
龙图腾网获悉台湾积体电路制造股份有限公司申请的专利半导体器件及其形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113363174B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-25发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110318654.9，技术领域涉及：H01L21/60；该发明授权半导体器件及其形成方法是由蔡柏豪;郑明达;吕文雄;刘旭伦;吴凯第;林素妃设计研发完成，并于2021-03-25向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体器件及其形成方法在说明书摘要公布了：方法包括：在晶圆的第一导电部件上方形成晶种层，在该晶种层上形成图案化镀掩模，以及在该图案化镀掩模中的开口中镀第二导电部件。该镀包括执行多次镀循环，每个镀循环都包括使用第一镀电流密度执行的第一镀工艺，以及使用小于第一镀电流密度的第二镀电流密度执行的第二镀工艺。然后去除图案化镀掩模，并蚀刻晶种层。本申请的实施例还涉及半导体器件及其形成方法。
本发明授权半导体器件及其形成方法在权利要求书中公布了：1.一种形成半导体器件的方法，包括： 在晶圆的第一导电部件上方形成晶种层； 在所述晶种层上方形成图案化镀掩模； 在所述图案化镀掩模中的开口中镀第二导电部件，其中，所述镀包括执行多次镀循环，所述多次镀循环的每个都包括： 使用第一镀电流密度执行的第一镀工艺；以及 使用小于所述第一镀电流密度的第二镀电流密度执行的第二镀工艺； 去除所述图案化镀掩模；以及 蚀刻所述晶种层。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人台湾积体电路制造股份有限公司，其通讯地址为：中国台湾新竹；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号