意法半导体股份有限公司G·加特瑞获国家专利权
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龙图腾网获悉意法半导体股份有限公司申请的专利流量感测装置及其制造方法和流体特性测量系统获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113493186B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-25发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110295228.8，技术领域涉及：B81B7/02；该发明授权流量感测装置及其制造方法和流体特性测量系统是由G·加特瑞;F·里奇尼;L·奎利诺尼;L·科索;D·朱斯蒂设计研发完成，并于2021-03-19向国家知识产权局提交的专利申请。
本流量感测装置及其制造方法和流体特性测量系统在说明书摘要公布了：公开了流量感测装置及其制造方法和流体特性测量系统。基于科里奥利力的流量感测装置的实施例和用于制造该基于科里奥利力的流量感测装置的实施例的方法的实施例，包括以下步骤：形成驱动电极；在驱动电极上形成第一牺牲区域；在第一牺牲区域上形成第一结构部分，在第一结构部分中埋设有第二牺牲区域；形成用于选择性地蚀刻第二牺牲区域的开口；在开口内形成具有孔隙的多孔层；通过多孔层的孔隙去除第二牺牲区域，形成埋入通道；在多孔层上并且不在埋入通道内生长第二结构部分，第二结构部分与第一结构区域形成结构体；选择性地去除第一牺牲区域，从而将结构体悬置在驱动电极上。
本发明授权流量感测装置及其制造方法和流体特性测量系统在权利要求书中公布了：1.一种制造基于科里奥利力的流量感测装置的方法，包括： 在基底的绝缘层上的驱动电极上形成第一牺牲区域； 在所述第一牺牲区域上形成第一结构部分，所述第一结构部分具有埋入所述第一结构部分中的第二牺牲区域，其中所述第二牺牲区域的一部分至少部分地与所述驱动电极重叠； 形成穿过所述第一结构部分的一部分的至少一个孔，所述孔到达所述第二牺牲区域； 在所述孔内形成多孔层，所述多孔层具有孔隙，所述孔隙的尺寸被确定为允许蚀刻剂通过，所述蚀刻剂被配置为选择性地去除所述第二牺牲区域； 通过使用所述蚀刻剂穿过所述多孔层的所述孔隙选择性地去除所述第二牺牲区域来形成埋入通道； 通过形成与所述第一结构部分结合的第二结构部分来形成结构体； 形成横向于所述埋入通道的通孔，所述通孔到达所述第一牺牲区域；以及 通过经由所述通孔选择性地去除所述第一牺牲区域来将所述结构体的区域悬置在所述驱动电极上。
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