中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司纪世良获国家专利权
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龙图腾网获悉中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司申请的专利半导体结构的形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115116948B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-25发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110285254.2，技术领域涉及：H10D84/03；该发明授权半导体结构的形成方法是由纪世良;肖杏宇;张海洋设计研发完成，并于2021-03-17向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体结构的形成方法在说明书摘要公布了：一种半导体结构的形成方法，包括：提供基底，基底上形成有沟道结构，包括一个或多个沟道叠层，沟道叠层包括牺牲层和位于牺牲层上的沟道层，基底上还形成有横跨沟道结构的伪栅结构；对相邻伪栅结构之间的沟道结构进行第一开槽处理，形成贯穿沟道结构的沟槽，第一开槽处理包括一次或多次的子开槽处理，且子开槽处理与沟道叠层一一对应，子开槽处理的步骤包括：去除相邻伪栅结构之间的沟道叠层，形成第一凹槽；去除第一凹槽侧壁露出的部分宽度的牺牲层，形成与第一凹槽相连通的第一内侧墙槽；在第一内侧墙槽中形成第一内侧墙；完成第一开槽处理后，在沟槽中形成源漏掺杂层。每个第一内侧墙的尺寸是可调节的，有利于满足对半导体结构不同的性能需求。
本发明授权半导体结构的形成方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括： 提供基底，所述基底上形成有沟道结构，所述沟道结构包括多个沟道叠层，所述沟道叠层包括牺牲层和位于所述牺牲层上的沟道层，所述基底上还形成有横跨所述沟道结构的伪栅结构，所述伪栅结构覆盖所述沟道结构的部分侧壁和部分顶部； 对相邻所述伪栅结构之间的沟道结构进行第一开槽处理，形成贯穿所述沟道结构的沟槽，所述第一开槽处理包括多次的子开槽处理，且所述子开槽处理与所述沟道叠层一一对应，其中，所述子开槽处理的步骤包括：去除相邻所述伪栅结构之间的沟道叠层，形成第一凹槽；沿垂直于所述伪栅结构侧壁的方向，去除所述第一凹槽侧壁露出的部分宽度的牺牲层，形成与所述第一凹槽相连通的第一内侧墙槽，所述第一内侧墙槽的侧壁相对于所述第一凹槽的侧壁向内凹进；在所述第一内侧墙槽中形成第一内侧墙； 完成所述第一开槽处理后，在所述沟槽中形成源漏掺杂层。
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