买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！

龙图腾网获悉广东德力光电有限公司申请的专利一种高一致性的Micro LED芯片及其制作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN112951966B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-25发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110278339.8，技术领域涉及：H10H20/831；该发明授权一种高一致性的Micro LED芯片及其制作方法是由武杰;易翰翔;郝锐;李玉珠;吴光芬设计研发完成，并于2021-03-15向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种高一致性的Micro LED芯片及其制作方法在说明书摘要公布了：本发明涉及MicroLED芯片技术领域，公开了一种高一致性的MicroLED芯片，包括衬底和设于衬底上的GaN基外延片，GaN基外延片自下而上依次设有N型GaN层、发光量子阱层和P型GaN层，N型GaN层上镀设有N型电极层，P型GaN层上镀设有P型电极层，GaN基外延片设有多个纵横交错分布的隔离槽，隔离槽将GaN基外延片划分为多个矩阵阵列布置的发光单元，隔离槽位于N型GaN层的上方且裸露N型GaN层的顶面，隔离槽内的N型GaN层的裸露顶面镀设有与N型电极层一体成型的内置N型电极层，内置N型电极层的侧边与发光单元相隔。同时本发明还公开了该芯片的制作方法，采用本发明，内置N型电极层的设置使电流在N型GaN层扩散时均匀分布，从而确保各发光单元发光时的亮度保持一致。

本发明授权一种高一致性的Micro LED芯片及其制作方法在权利要求书中公布了：1.一种高一致性的MicroLED芯片的制作方法,其特征在于： 该高一致性的MicroLED芯片包括衬底和设于所述衬底上的GaN基外延片，所述GaN基外延片自下而上依次设有N型GaN层、发光量子阱层和P型GaN层，所述N型GaN层上镀设有N型电极层，所述P型GaN层上镀设有P型电极层，其特征在于：所述GaN基外延片设有多个纵横交错分布的隔离槽，所述隔离槽将所述GaN基外延片划分为多个矩阵阵列布置的发光单元，所述隔离槽位于所述N型GaN层的上方且裸露所述N型GaN层的顶面，所述隔离槽内的所述N型GaN层的裸露顶面镀设有与所述N型电极层一体成型的内置N型电极层，所述内置N型电极层的侧边与所述发光单元相隔，所述内置N型电极层的高度与所述发光量子阱层持平； 该高一致性的MicroLED芯片的制作方法包括以下步骤： （1）、制作GaN基外延片，利用MOCVD设备在衬底上自下而上依次沉积出N型GaN层、发光量子阱层和P型GaN层，形成GaN基外延片； （2）、在所述GaN基外延片上刻蚀出多个纵横交错分布的隔离槽，使N型GaN层的顶面裸露，同时将所述GaN基外延片划分为多个矩阵阵列布置的发光单元； （3）、在所述N型GaN层上镀设N型电极层和内置N型电极层，其中所述内置N型电极层设于所述隔离槽内且所述N型电极层的侧边与所述发光单元相隔； （4）、在所述发光单元的所述P型GaN层上镀设ITO层； （5）、在所述发光单元上沉积一层SiO2材质的保护层，其中所述保护层将所述内置电极层包覆； （6）、在所述保护层上刻蚀出使所述ITO层露出的P导电通道； （7）、在所述导电通道内蒸镀上P型电极层。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人广东德力光电有限公司，其通讯地址为：529000 广东省江门市江海区彩虹路1号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。