爱思开海力士有限公司李南宰获国家专利权
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龙图腾网获悉爱思开海力士有限公司申请的专利半导体存储器装置及制造半导体存储器装置的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113903747B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-25发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110217306.2，技术领域涉及：H10B43/35；该发明授权半导体存储器装置及制造半导体存储器装置的方法是由李南宰设计研发完成，并于2021-02-26向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体存储器装置及制造半导体存储器装置的方法在说明书摘要公布了：本申请公开了半导体存储器装置及制造半导体存储器装置的方法。本文可以提供一种半导体存储器装置及其制造方法。半导体存储器装置可以包括：层叠体，其包括交替层叠的层间绝缘层和导电图案；以及沟道结构，其贯穿层叠体。每个沟道结构可以包括：沟道层，其垂直地延伸直至导电图案当中设置在最上的至少一个上导电图案的上部分的高度；存储器层，其围绕沟道层并从下层间绝缘层延伸到上导电图案的中间部分的高度；以及掺杂半导体图案，其设置在沟道层和存储器层上方。
本发明授权半导体存储器装置及制造半导体存储器装置的方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体存储器装置，该半导体存储器装置包括： 层叠体，所述层叠体包括交替层叠的层间绝缘层和导电图案；以及 沟道结构，所述沟道结构贯穿所述层叠体， 其中，多个所述沟道结构中的每一个包括： 沟道层，所述沟道层垂直地延伸直至多个所述导电图案当中设置在最上的至少一个上导电图案的上部分的高度； 存储器层，所述存储器层围绕所述沟道层并从下层间绝缘层延伸到所述上导电图案的中间部分的高度；以及 掺杂半导体图案，所述掺杂半导体图案设置在所述沟道层和所述存储器层上方， 其中，所述掺杂半导体图案被所述上导电图案的至少一部分围绕。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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