铠侠股份有限公司久米一平获国家专利权
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
龙图腾网获悉铠侠股份有限公司申请的专利半导体装置及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114171496B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-25发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110208736.8，技术领域涉及：H01L23/538；该发明授权半导体装置及其制造方法是由久米一平;中村一彦;奧田真也设计研发完成，并于2021-02-24向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体装置及其制造方法在说明书摘要公布了：本发明的实施方式涉及一种半导体装置及其制造方法。实施方式的半导体装置具备半导体衬底，该半导体衬底具有设置着半导体元件的第1面、及位于与该第1面相反侧的第2面。金属电极设置于在第1面与第2面之间贯通半导体衬底的贯通孔内。第1绝缘膜设置在半导体衬底的第1面侧，且从该第1面的上方观察时，自贯通孔的所述第2面侧开口端部向朝着该贯通孔中心的径向突出。第2绝缘膜从第1面的上方观察时自第1绝缘膜向径向突出，比第1绝缘膜的膜厚更薄，且与金属电极相接。第3绝缘膜设置在贯通孔内壁与金属电极之间，包含与第1绝缘膜接触的第1部分、及与贯通孔内壁相接且比第1部分更靠近所述第2面侧的第2部分。
本发明授权半导体装置及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体装置，其特征在于具备： 半导体衬底，具有设置着半导体元件的第1面、及位于与所述第1面相反侧的第2面； 金属电极，设置于在所述第1面与所述第2面之间贯通所述半导体衬底的贯通孔内； 第1绝缘膜，设置在所述半导体衬底的所述第1面侧，且从所述第1面的上方观察时，自所述贯通孔的外缘或内壁向朝着所述贯通孔中心的径向突出； 第2绝缘膜，从所述第1面的上方观察时自所述第1绝缘膜向所述径向突出，比所述第1绝缘膜的膜厚更薄，且与所述金属电极相接；以及 第3绝缘膜，是连续的绝缘膜，设置在所述贯通孔的内壁与所述金属电极之间，包含与所述第1绝缘膜及所述第2绝缘膜接触的第1部分、及与所述贯通孔的内壁相接且比所述第1部分更靠近所述第2面侧的第2部分。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人铠侠股份有限公司，其通讯地址为：日本东京；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号