东京毅力科创株式会社矢幡将二郎获国家专利权
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龙图腾网获悉东京毅力科创株式会社申请的专利等离子体处理方法和等离子体处理装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113345787B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-25发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110202244.8，技术领域涉及：H01J37/32；该发明授权等离子体处理方法和等离子体处理装置是由矢幡将二郎;佐藤徹治设计研发完成，并于2021-02-23向国家知识产权局提交的专利申请。
本等离子体处理方法和等离子体处理装置在说明书摘要公布了：本发明提供一种等离子体处理方法和等离子体处理装置。所述方法用于在等离子体处理装置中通过等离子体对基板进行处理，所述等离子体处理装置具备：腔室；上部电极构造，其构成腔室的上部，该上部电极构造具有被进行温度控制的板、配置于板的下方的电极板以及夹设于电极板与板之间的静电吸附部，静电吸附部包括与板的下表面接触的接触面、吸附电极板的上表面的吸附面、第一电极以及第二电极；电源，其向第一电极和第二电极施加电压；以及温度获取部，其获取电极板的温度分布，所述方法包括：或获取工序，获取电极板的温度分布；施加工序，根据温度分布向第一电极施加第一电压并向第二电极施加第二电压；以及处理工序，通过等离子体对基板进行处理。
本发明授权等离子体处理方法和等离子体处理装置在权利要求书中公布了：1.一种等离子体处理方法，是在等离子体处理装置中通过等离子体对基板进行处理的方法，其中， 所述等离子体处理装置具备： 腔室，其构成为收容所述基板； 上部电极构造，其构成所述腔室的上部，所述上部电极构造具有被进行温度控制的板、配置于所述板的下方的电极板以及夹设于所述电极板与所述板之间的静电吸附部，所述静电吸附部包括与所述板的下表面接触的接触面、吸附所述电极板的上表面的吸附面、第一电极以及第二电极，所述第一电极和所述第二电极用于对所述电极板进行静电吸附； 电源，其构成为向所述第一电极和所述第二电极施加电压；以及 温度获取部，其构成为获取所述电极板的温度分布， 所述等离子体处理方法包括以下工序： 获取工序，通过所述温度获取部来获取所述电极板的所述温度分布； 施加工序，根据通过所述获取工序获取到的所述温度分布向所述第一电极施加第一电压并且向所述第二电极施加第二电压；以及 处理工序，通过等离子体对所述基板进行处理。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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