世界先进积体电路股份有限公司林永丰获国家专利权
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龙图腾网获悉世界先进积体电路股份有限公司申请的专利高电子迁移率晶体管及其制作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114975573B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-25发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110189435.5，技术领域涉及：H10D62/10；该发明授权高电子迁移率晶体管及其制作方法是由林永丰;周钰杰;林琮翔;庄理文设计研发完成，并于2021-02-19向国家知识产权局提交的专利申请。
本高电子迁移率晶体管及其制作方法在说明书摘要公布了：一种高电子迁移率晶体管，其中半导体通道层及半导体阻障层设置于基底上。图案化半导体保护层设置于半导体阻障层上，且图案化半导体盖层设置于图案化半导体保护层及半导体阻障层之间。层间介电层覆盖图案化半导体盖层及图案化半导体保护层，且层间介电层包括闸极接触洞。闸极电极设置于闸极接触洞内且电连接该图案化半导体盖层，其中闸极电极及图案化半导体盖层之间存在图案化半导体保护层。图案化半导体保护层的电阻率介于图案化半导体盖层的电阻率及层间介电层的电阻率之间。
本发明授权高电子迁移率晶体管及其制作方法在权利要求书中公布了：1.一种高电子迁移率晶体管，其特征在于，包括： 一半导体通道层及一半导体阻障层，设置于一基底上； 一图案化半导体保护层，设置于所述半导体阻障层上，所述图案化半导体保护层的组成为含硅半导体； 一图案化半导体盖层，设置于所述图案化半导体保护层及所述半导体阻障层之间； 一层间介电层，覆盖所述图案化半导体盖层及所述图案化半导体保护层，其中所述层间介电层包括一闸极接触洞；以及 一闸极电极，设置于所述闸极接触洞内且电连接所述图案化半导体盖层，其中所述闸极电极及所述图案化半导体盖层之间存在部分的所述图案化半导体保护层， 其中，所述图案化半导体保护层的电阻率介于所述图案化半导体盖层的电阻率及所述层间介电层的电阻率之间。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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