杭州广立微电子股份有限公司潘伟伟获国家专利权
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龙图腾网获悉杭州广立微电子股份有限公司申请的专利一种甄别处于电流泄漏回路中器件的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114692561B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-25发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110184686.4，技术领域涉及：G06F30/398；该发明授权一种甄别处于电流泄漏回路中器件的方法是由潘伟伟;胡佳南;杨璐丹;蓝帆设计研发完成，并于2021-02-11向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种甄别处于电流泄漏回路中器件的方法在说明书摘要公布了：本发明提供了一种甄别处于电流泄漏回路中器件的方法，包括：获取版图信息，将连接至少两个有源区的M0识别为第一M0；将包含相邻的第一M0及其连接的两个有源区所围成的封闭区域分别记为loop_holes，将所述loop_holes分别扩张成最小的矩形识别为第一矩形；扩张后的第一矩形与第一M0的重叠区域识别为第一区；将有效的有源区减去M0后的图形区域中，与所述第一矩形接触的区域记为第一有源区；根据器件的栅极两侧与第一有源区的位置关系判断该器件是否为处于电流泄漏回路中的器件。为设计的优化和生产效率的提高，改善工艺，降低质量风险提供了有效而简洁的方法。
本发明授权一种甄别处于电流泄漏回路中器件的方法在权利要求书中公布了：1.一种甄别处于电流泄漏回路中器件的方法，其特征在于：包括： 步骤S1.获取版图信息，包括有源区层、M0层、栅极层、M0切断层和多晶硅切断层； 所述M0用于连接有源区；将连接至少两个有源区的M0识别为第一M0； 步骤S2.将包含相邻的第一M0及其连接的两个有源区所围成的封闭区域分别记为loop_holes，将所述loop_holes分别扩张成最小的矩形识别为第一矩形； 设栅极延伸方向为垂直方向，垂直于栅极延伸方向为水平方向；将所述第一矩形的垂直边分别沿着水平方向向外移动预设的距离，实现对第一矩形的扩张，扩张后的第一矩形与第一M0的重叠区域识别为第一区； 步骤S3.将有效的有源区减去M0后的图形区域中，与所述第一矩形接触的区域记为第一有源区； 所述有效的有源区是指有源区层中的有源区减去栅极层中栅极后的有源区区域； 步骤S4.根据器件的栅极两侧与第一有源区的位置关系判断该器件是否为处于电流泄漏回路中的器件。
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