隆达电子股份有限公司简振宇获国家专利权
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龙图腾网获悉隆达电子股份有限公司申请的专利发光二极管结构获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114914342B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-25发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110177331.2，技术领域涉及：H10H20/841；该发明授权发光二极管结构是由简振宇;吴厚润;吴俊毅设计研发完成，并于2021-02-09向国家知识产权局提交的专利申请。
本发光二极管结构在说明书摘要公布了：一种发光二极管结构包含金属反射层、第一透明导电层、介电层、多个第二透明导电层、第一半导体层、主动层及第二半导体层。金属反射层具有多个第一凹陷区，且每一第一凹陷区内具有一凸块。第一透明导电层共形地形成于金属反射层的这些第一凹陷区及凸块上。介电层形成于第一透明导电层上且具有多个第二凹陷区，每一第二凹陷区具有一通孔用以裸露第一透明导电层对准凸块的区域。多个第二透明导电层分别位于这些第二凹陷区内，且透过通孔连接第一透明导电层。第一半导体层、主动层及第二半导体层依序形成于介电层与这些第二透明导电层上。
本发明授权发光二极管结构在权利要求书中公布了：1.一种发光二极管结构，其特征在于，包含： 一金属反射层，具有多个第一凹陷区，且每一该第一凹陷区内具有一凸块； 一第一透明导电层，共形地形成于该金属反射层的所述多个第一凹陷区及该凸块上； 一介电层，形成于该第一透明导电层上且具有多个第二凹陷区，每一该第二凹陷区具有一通孔用以裸露该第一透明导电层对准该凸块的区域； 多个第二透明导电层，分别位于所述多个第二凹陷区内，且透过该通孔连接该第一透明导电层，所述多个第二透明导电层较该第一透明导电层具有较大的晶粒尺寸；以及 一第一半导体层、一主动层及一第二半导体层，依序形成于该介电层与所述多个第二透明导电层上。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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