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龙图腾网获悉信越半导体株式会社申请的专利单晶硅基板中的施主浓度的控制方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115280472B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-25发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202180021156.6，技术领域涉及：H01L21/265；该发明授权单晶硅基板中的施主浓度的控制方法是由竹野博设计研发完成，并于2021-02-08向国家知识产权局提交的专利申请。

本单晶硅基板中的施主浓度的控制方法在说明书摘要公布了：本发明是一种单晶硅基板中的施主浓度的控制方法，具有：第一质子照射工序，在进行第二质子照射工序之前对试验用单晶硅基板照射质子；氢浓度测量工序，测量第一质子照射工序后的试验用单晶硅基板中的氢浓度的深度方向分布；第一热处理工序，对试验用单晶硅基板实施与第二热处理工序相同条件的热处理；施主浓度测量工序，测量在第一热处理工序之后在试验用单晶硅基板中产生的施主增加量的深度方向分布；以及相关关系获取工序，根据氢浓度的深度方向分布、和施主增加量的深度方向分布，而获取试验用单晶硅基板中的氢浓度、与施主增加量的相关关系，基于相关关系，调整在第二质子照射工序中照射的质子的剂量，以使控制第二热处理工序后的施主浓度的单晶硅基板中的施主增加量成为目标值。

本发明授权单晶硅基板中的施主浓度的控制方法在权利要求书中公布了：1.一种单晶硅基板中的施主浓度的控制方法，其通过进行以下工序来控制施主浓度： 第二质子照射工序，对控制施主浓度的单晶硅基板即控制对象单晶硅基板照射质子；以及 第二热处理工序，对该第二质子照射工序后的所述控制对象单晶硅基板实施热处理， 其特征在于，具有： 第一质子照射工序，在进行所述第二质子照射工序之前预先对试验用单晶硅基板照射质子，所述试验用单晶硅基板由与所述控制对象单晶硅基板相同的结晶块、或者以相同规格制造的结晶块制作而成； 氢浓度测量工序，测量该第一质子照射工序后的所述试验用单晶硅基板中的氢浓度的深度方向分布； 第一热处理工序，对所述第一质子照射工序后的所述试验用单晶硅基板实施与所述第二热处理工序相同条件的热处理； 施主浓度测量工序，测量在该第一热处理工序之后在所述试验用单晶硅基板中产生的施主增加量的深度方向分布；以及 相关关系获取工序，根据在所述氢浓度测量工序中测量出的所述氢浓度的深度方向分布、和在所述施主浓度测量工序中测量出的所述施主增加量的深度方向分布，而获取所述试验用单晶硅基板中的氢浓度、与在所述试验用单晶硅基板中产生的施主增加量的相关关系， 基于获取到的所述相关关系，调整在所述第二质子照射工序中照射的质子的剂量，以使所述第二热处理工序后的所述控制对象单晶硅基板中的施主增加量成为目标值。

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