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龙图腾网获悉株式会社东芝;东芝电子元件及存储装置株式会社申请的专利半导体装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114203826B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-25发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110167317.4，技术领域涉及：H10D30/67；该发明授权半导体装置是由小岛秀春设计研发完成，并于2021-02-07向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体装置在说明书摘要公布了：实施方式提供良品率高的半导体装置。实施方式的半导体装置具有第1电极和基板，上述基板具有第1电极所接触的第1面、和与第1面对置的第2面，在第1面具有与平行于第1面的第1方向的长度相比、与第1方向交叉且与第1面平行的第2方向的长度更短的第1槽，基板具有：第1导电型的第1半导体层、设于第1半导体层与第2面之间且第1导电型的杂质浓度比第1半导体层高的第2半导体层、设于第2半导体层与第2面之间的第2导电型的第1半导体区域、设于第1半导体区域与第2面之间的第1导电型的第2半导体区域、和在从第2面到达第2半导体层且在第2方向上延伸的第1沟槽内隔着第1绝缘膜而与第1半导体区域对置地设置的第2电极。

本发明授权半导体装置在权利要求书中公布了：1.一种半导体装置，具备： 第1电极；以及 基板，具有上述第1电极所接触的第1面和与上述第1面对置的第2面，上述基板在上述第1面具有第2方向的长度小于第1方向的长度的第1槽，上述第1方向平行于上述第1面，上述第2方向与上述第1方向交叉且平行于上述第1面， 上述基板具备： 第1导电型的第1半导体层； 第2半导体层，设于上述第1半导体层与上述第2面之间，且上述第2半导体层的上述第1导电型的杂质浓度低于上述第1半导体层的上述第1导电型的杂质浓度； 第2导电型的第1半导体区域，设于上述第2半导体层与上述第2面之间； 第1导电型的第2半导体区域，设于上述第1半导体区域与上述第2面之间；以及 第2电极，在从上述第2面到达上述第2半导体层且在上述第2方向上延伸的第1沟槽内，隔着第1绝缘膜而与上述第1半导体区域对置设置， 在上述第1槽之中设有第3槽，上述第3槽的上述第1方向上的长度比上述第1槽的上述第1方向上的长度短，在与上述第1方向以及上述第2方向交叉的第3方向上，上述第3槽的深度比上述第1槽的深度深。

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