力晶积成电子制造股份有限公司谢思瑜获国家专利权
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龙图腾网获悉力晶积成电子制造股份有限公司申请的专利测试键结构及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114724969B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-25发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110167909.6，技术领域涉及：H01L21/66；该发明授权测试键结构及其制造方法是由谢思瑜设计研发完成，并于2021-02-07向国家知识产权局提交的专利申请。
本测试键结构及其制造方法在说明书摘要公布了：本发明公开一种测试键结构及其制造方法，其中该测试键结构位于晶片的切割道中，且包括基底、介电层、金属层、第一介层窗、第二介层窗、遮蔽层、第一接垫与第二接垫。介电层设置在基底上。金属层设置在介电层中。第一介层窗与第二介层窗设置在介电层中，且分别电连接至金属层。遮蔽层设置在介电层上，且位于部分金属层的正上方。第一接垫与第二接垫设置在介电层上，且分别电连接至第一介层窗与第二介层窗。
本发明授权测试键结构及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种测试键结构，位于晶片的切割道中，其特征在于，该测试键结构包括： 基底； 介电层，设置在所述基底上； 金属层，设置在所述介电层中，其中在该金属层下方的该介电层中包括金属内连线结构； 第一介层窗与第二介层窗，设置在所述介电层中，且分别电连接至所述金属层； 遮蔽层，设置在所述介电层上，且位于部分所述金属层的正上方；以及 第一接垫与第二接垫，设置在所述介电层上，且分别电连接至所述第一介层窗与所述第二介层窗。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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