铠侠股份有限公司児玉真美获国家专利权
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龙图腾网获悉铠侠股份有限公司申请的专利半导体装置的不良解析系统、半导体装置的不良解析方法及程序获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN114121113B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-25发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202110162393.6,技术领域涉及:G11C29/00;该发明授权半导体装置的不良解析系统、半导体装置的不良解析方法及程序是由児玉真美;饭塚义和;野口雅裕;渡部由美子设计研发完成,并于2021-02-05向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体装置的不良解析系统、半导体装置的不良解析方法及程序在说明书摘要公布了:本发明涉及半导体装置的不良解析系统、半导体装置的不良解析方法及程序。提供半导体装置的不良解析系统,针对块单位及列单位的良不良信息,够进行跨及多个检查步序的统合解析,解析效率提高。半导体装置的不良解析系统具备存储器13、不良信息管理表19及解析部18。存储器13存储半导体存储器的多个检查步序中以芯片内的块单位及列单位收集的良不良信息。不良信息管理表19对存储在存储器13的块单位及列单位的良不良信息,附加多个检查步序中所共通的产品信息、包含批次编号、晶圆编号、芯片地址的制造信息、步序信息及测试信息,并加以存储。解析部18基于存储在不良信息管理表19的信息,解析跨及多个检查步序的块单位及列单位的良不良信息。
本发明授权半导体装置的不良解析系统、半导体装置的不良解析方法及程序在权利要求书中公布了:1.一种半导体装置的不良解析系统,具备: 测试器,构成为: 在包括未分割晶圆的前步序中的检查、将晶圆分割成多个芯片后的后步序中的检查以及在制造的半导体产品出货前进行的半导体制造的最终步序中的检查的多个检查步序的每一个中, 执行所述半导体装置的测试,包括:电源测试、包括将数据传输到所述半导体装置的芯片的数据传输测试、泄漏测试、不中断测试、包括从所述芯片抹除数据的抹除测试以及包括所述芯片的编程的编程测试; 在实施所述芯片内的块单位或列单位的良不良的判定的所述测试的任一者后,输出不良块或不良列的所有地址;及 基于所述测试结束时的不良地址信息与所述测试的前一个测试结束时的不良地址信息之间的差量,识别出在所述测试中产生的不良块或不良列;以及 数据管理服务器,与存储有由所述测试器输出的信息的测试器收集信息文件连接,且包含: 接收部,从所述测试器收集信息文件接收半导体存储器的所述多个检查步序的每一个中以芯片内的块单位及列单位收集的良不良信息,并将接收到的所述良不良信息存储在存储器; 信息附加部,对存储在所述存储器的块单位及列单位的良不良信息,附加所述多个检查步序中所共通的产品信息、包含批次编号、晶圆编号、芯片地址的制造信息、步序信息及测试信息,并存储在不良信息管理表;及 解析部,基于存储在所述不良信息管理表的信息,统合解析跨及所述多个检查步序的块单位及列单位的良不良信息;且 所述测试器通过从所述测试结束时的所有所述不良地址信息中去除所述测试的前一个测试结束时的所有所述不良地址信息,识别出在所述测试中新产生的所述不良块或不良列,从而收集所述多个检查步序的每一个中的所述块的良不良信息及所述列的良不良信息,并将收集到的所述块的良不良信息及所述列的良不良信息输出至所述测试器收集信息文件; 所述测试信息至少包含区分常态测试还是监控测试的信息,所述常态测试是为了判定制造步序中的良不良的测试,所述监控测试是为了掌握所述半导体装置的真正实力而对条件进行了加速处理的测试,所述解析部构成为通过确定在后步序检查的常态测试中最初被判定为不良的块单位也将在前步序中自动被判定为不良,来统合解析所述块单位的所述良不良信息。
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