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龙图腾网获悉株式会社东芝;东芝电子元件及存储装置株式会社申请的专利半导体装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114171471B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-25发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110093260.8，技术领域涉及：H01L23/34；该发明授权半导体装置是由足立绘美子;西川幸江;财满康太郎设计研发完成，并于2021-01-25向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体装置在说明书摘要公布了：实施方式提供一种适当地配置了温度传感器的半导体装置。实施方式的半导体装置具备：半导体部；设于所述半导体部的背面上的第一电极；设于所述半导体部的表面侧且相互分离的多个第二电极；设于所述半导体部与所述多个第二电极的各个之间的控制电极；覆盖所述半导体部的所述表面侧并具有使所述多个第二电极露出的多个开口的树脂层；以及设于所述半导体部与所述树脂层之间并位于所述半导体部的所述表面的中央的传感器元件。所述树脂层的所述多个开口分别具有至少四个被倒圆的角。所述传感器元件设于所述树脂层的被所述多个开口中的至少三个开口包围的区域与所述半导体部之间。

本发明授权半导体装置在权利要求书中公布了：1.一种半导体装置，具备： 半导体部； 集电极，设于所述半导体部的第一表面上； 多个发射极电极，设于所述半导体部的第二表面上； 控制电极，设于所述集电极与所述多个发射极电极中的每一个之间，并且与所述半导体部和所述多个发射极电极中的每一个电绝缘； 树脂层，局部地覆盖所述半导体部的所述第二表面并且具有多个开口，所述多个发射极电极通过所述多个开口至少局部地露出，所述多个开口中的每个开口具有矩形形状，所述矩形形状具有四个边和四个被倒圆的角；以及 传感器元件，位于所述半导体部的所述第二表面的上方并且被所述树脂层的被所述多个开口包围的第一部分覆盖， 所述多个发射极电极包括第一发射极电极、第二发射极电极和第三发射极电极， 所述树脂层的所述多个开口包括第一开口、第二开口和第三开口，所述第一发射极电极、所述第二发射极电极和所述第三发射极电极分别通过所述第一开口、所述第二开口和所述第三开口至少局部地露出， 所述第一开口、所述第二开口和所述第三开口的最接近所述传感器元件的部分分别位于所述第一开口的四个边中的一个、所述第二开口的四个被倒圆的角中的一个和所述第三开口的四个被倒圆的角中的一个， 所述第二开口的所述四个被倒圆的角中最接近所述传感器元件的一个被倒圆的角的第一曲率半径大于所述第二开口的其他三个被倒圆的角的第二曲率半径， 所述第三开口的所述四个被倒圆的角中最接近所述传感器元件的一个被倒圆的角的第三曲率半径大于所述第三开口的其他三个被倒圆的角的第四曲率半径。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人株式会社东芝;东芝电子元件及存储装置株式会社，其通讯地址为：日本东京都；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。