株式会社东芝;东芝电子元件及存储装置株式会社横山昇获国家专利权
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龙图腾网获悉株式会社东芝;东芝电子元件及存储装置株式会社申请的专利半导体部件的制造方法以及半导体装置的制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114203552B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-25发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110086060.X，技术领域涉及：H10D30/01；该发明授权半导体部件的制造方法以及半导体装置的制造方法是由横山昇;佐藤和幸设计研发完成，并于2021-01-22向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体部件的制造方法以及半导体装置的制造方法在说明书摘要公布了：实施方式提供能够减少杂质量差的半导体部件的制造方法以及半导体装置的制造方法。在实施方式的半导体部件的制造方法中，测定包含第一导电型的第一半导体层的半导体基板的第一质量。在所述第一半导体层的上表面形成第一开口。测定形成有所述第一开口的所述半导体基板的第二质量。在所述第一开口的内部形成第二导电型的第二半导体层时，使所述第二半导体层中的第二导电型的杂质浓度根据所述第一质量与所述第二质量的质量差而变化。
本发明授权半导体部件的制造方法以及半导体装置的制造方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体部件的制造方法， 测定包含第一导电型的第一半导体层在内的半导体基板的第一质量， 在所述第一半导体层的上表面形成第一开口， 测定形成有所述第一开口的所述半导体基板的第二质量， 在所述第一开口的内部形成第二导电型的第二半导体层时，使所述第二半导体层中的第二导电型的杂质浓度根据所述第一质量与所述第二质量的质量差而变化，从而减小第一导电型的第一半导体层所包含的杂质量与第二导电型的第二半导体层所包含的杂质量的杂质量差。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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