买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！

龙图腾网获悉中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司申请的专利半导体结构及其形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114765221B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-25发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110050105.8，技术领域涉及：H10D30/65；该发明授权半导体结构及其形成方法是由王孝远;张进书;侯永田;冯军宏设计研发完成，并于2021-01-14向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体结构及其形成方法在说明书摘要公布了：一种半导体结构及其形成方法，其中，结构包括：基底，所述基底具有邻接的漂移区和体区，且所述漂移区的导电类型和体区的导电类型相反；位于所述基底上的第一栅极结构，所述第一栅极结构沿第一方向横跨所述漂移区和体区之间的边界，所述第一方向为第一栅极结构延伸方向的垂直方向；位于所述体区中的源区；位于所述漂移区中的漏区和第一隔离结构，所述源区和漏区分别位于所述第一栅极结构的两侧，所述第一隔离结构位于所述第一栅极结构和漏区之间，并且，所述第一栅极结构与所述第一隔离结构之间沿第一方向有间距；位于所述第一隔离结构表面的第二栅极结构。从而，提高了LDMOS晶体管的性能。

本发明授权半导体结构及其形成方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构，其特征在于，包括： 基底，所述基底具有邻接的漂移区和体区，且所述漂移区的导电类型和体区的导电类型相反； 位于所述基底上的第一栅极结构，所述第一栅极结构沿第一方向横跨所述漂移区和体区之间的边界，所述第一方向为第一栅极结构延伸方向的垂直方向； 位于所述体区中的源区和第二隔离结构； 位于所述漂移区中的漏区和第一隔离结构，所述源区和漏区分别位于所述第一栅极结构的两侧，所述第一隔离结构位于所述第一栅极结构和漏区之间，所述第一隔离结构还与所述第二隔离结构分别位于所述源区的两侧，并且，所述第一栅极结构与所述第一隔离结构之间沿第一方向有间距； 位于所述第一隔离结构表面的第二栅极结构； 位于所述体区上的第四栅极结构，所述第四栅极结构位于所述第二隔离结构和所述源区之间，且所述第四栅极结构还延伸至部分所述第二隔离结构表面； 位于所述体区上的第五栅极结构，所述第五栅极结构和所述第四栅极结构分别位于所述第二隔离结构的两侧，且所述第五栅极结构还延伸至部分所述第二隔离结构表面。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司，其通讯地址为：201203 上海市浦东新区张江路18号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。