台湾积体电路制造股份有限公司李璧伸获国家专利权
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龙图腾网获悉台湾积体电路制造股份有限公司申请的专利集成芯片、存储器器件及其形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113285018B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-25发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202011629122.9，技术领域涉及：H10N70/20；该发明授权集成芯片、存储器器件及其形成方法是由李璧伸;金海光;匡训冲;蔡子中;张耀文设计研发完成，并于2020-12-31向国家知识产权局提交的专利申请。
本集成芯片、存储器器件及其形成方法在说明书摘要公布了：在一些实施例中，本公开涉及一种集成芯片、存储器器件及其形成方法。存储器器件包括设置在衬底上方的下部层间介电ILD层内的下部互连上方的底部电极。数据存储结构位于底部电极上方。第一顶部电极层设置在数据存储结构上方，第二顶部电极层位于第一顶部电极层上。与第一顶部电极层相比，第二顶部电极层不易被氧化。顶部电极通孔位于第二顶部电极层上方并且电耦合到第二顶部电极层。
本发明授权集成芯片、存储器器件及其形成方法在权利要求书中公布了：1.一种存储器器件，包括： 底部电极，设置在下部互连件上方，所述下部互连件位于衬底上方的下部层间介电层内； 数据存储结构，设置在所述底部电极上方； 第一顶部电极层，设置在所述数据存储结构上方； 第二顶部电极层，位于所述第一顶部电极层上，其中，所述第二顶部电极层比所述第一顶部电极层更不易氧化；以及 顶部电极通孔，位于所述第二顶部电极层上方并且电耦合到所述第二顶部电极层； 顶部电极氧化物，设置在所述顶部电极通孔和所述第二顶部电极层之间且沿着所述顶部电极通孔的底面和所述顶部电极通孔的侧壁的部分形成； 第一氧化物，沿着所述第一顶部电极层的一个或多个侧壁设置；以及 第二氧化物，沿着所述第二顶部电极层的外边缘设置，其中，所述第一氧化物的厚度大于所述顶部电极氧化物的厚度，并且所述第二氧化物与所述顶部电极氧化物彼此分隔。
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