芯恩(青岛)集成电路有限公司张文娅获国家专利权
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龙图腾网获悉芯恩(青岛)集成电路有限公司申请的专利一种抑制WPE的阱离子注入方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114695094B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-25发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202011589528.9，技术领域涉及：H01L21/266；该发明授权一种抑制WPE的阱离子注入方法是由张文娅;徐怀花;刘聪慧;季明华设计研发完成，并于2020-12-29向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种抑制WPE的阱离子注入方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种抑制WPE的阱离子注入方法，包括如下步骤：提供半导体衬底；在所述半导体衬底之上涂敷光刻胶层；光刻所述光刻胶层形成具有注入窗口的掩膜，并且在所述光刻过程中利用驻波效应使所述注入窗口的侧壁形成驻波波纹；经由所述注入窗口进行离子注入，在所述半导体衬底中形成阱区。本发明在光刻过程中利用光刻胶的驻波效应使注入窗口的侧壁形成驻波波纹，具有驻波波纹的侧壁可以有效地增强离子的随机散射能力，从而有效抑制阱邻近效应，提高阱区掺杂的均匀性，对先进CMOS工艺的发展具有重要意义。
本发明授权一种抑制WPE的阱离子注入方法在权利要求书中公布了：1.一种抑制WPE的阱离子注入方法，其特征在于，包括如下步骤： 提供半导体衬底； 在所述半导体衬底之上涂敷光刻胶层； 光刻所述光刻胶层形成具有注入窗口的掩膜，并且在所述光刻过程中利用驻波效应使所述注入窗口的侧壁形成驻波波纹，以有效增强离子的随机散射能力，从而抑制阱邻近效应； 经由所述注入窗口进行离子注入，在所述半导体衬底中形成阱区。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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