浙江驰拓科技有限公司孙一慧获国家专利权
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
龙图腾网获悉浙江驰拓科技有限公司申请的专利MTJ和存储器获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114695645B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-25发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202011567663.3，技术领域涉及：H10N50/10；该发明授权MTJ和存储器是由孙一慧;孟凡涛;简红;宫俊录设计研发完成，并于2020-12-25向国家知识产权局提交的专利申请。
本MTJ和存储器在说明书摘要公布了：本申请提供了一种MTJ和存储器。该MTJ包括依次层叠的参考层、势垒层和自由层，自由层包括依次层叠的第一磁性层、第一耦合层、第二磁性层、第二耦合层和第三磁性层。该方案中，在传统的MTJ上，增加了自由层磁性膜的厚度，通过增加厚度使得能量势垒高度较大，保证了MTJ的保存能力较好，进而可以提高MTJ的数据保存能力，从而较好地缓解了现有技术中的存储器数据保存能力较差的问题。
本发明授权MTJ和存储器在权利要求书中公布了：1.一种MTJ，其特征在于，包括依次层叠的参考层、势垒层和自由层，所述自由层包括依次层叠的第一磁性层、第一耦合层、第二磁性层、第二耦合层和第三磁性层，所述第一磁性层、所述第二磁性层和所述第三磁性层中的至少一个为叠层结构，所述叠层结构包括多个叠置的结构层，所述第一磁性层不是所述叠层结构，所述第二磁性层为所述叠层结构，所述第三磁性层不是所述叠层结构，所述叠层结构由依次层叠的交替部分和非交替部分组成，所述交替部分包括依次交替的第一结构层和第二结构层，其中，所述第一结构层和所述第二结构层的个数相同，所述非交替部分为所述第一结构层，所述第一结构层的材料包括Co、Fe、CoFe、FeB、CoB、CoFeB与Heusler合金材料中的至少一种，所述第二结构层的材料包括Pt、Pd与Ni中的至少一种。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人浙江驰拓科技有限公司，其通讯地址为：311300 浙江省杭州市临安区青山湖街道励新路9号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号