新唐科技股份有限公司日弗·赫诗曼获国家专利权
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龙图腾网获悉新唐科技股份有限公司申请的专利集成电路以及保护集成电路的上电时序的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113870932B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-25发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202011546311.X，技术领域涉及：G11C16/12；该发明授权集成电路以及保护集成电路的上电时序的方法是由日弗·赫诗曼;尤尔·哈永;蒙旭·爱伦设计研发完成，并于2020-12-24向国家知识产权局提交的专利申请。
本集成电路以及保护集成电路的上电时序的方法在说明书摘要公布了：本发明提供了一种集成电路以及保护集成电路的上电时序的方法。此集成电路包含非挥发性存储器NVM和安全上电电路。非挥发性存储器被配置以储存此IC的操作状态。安全上电电路被配置以1在IC的上电序列期间，当IC的供应电压在第一电压范围内时，实行来自NVM的操作状态的第一读取，2若第一次读取的来自NVM的操作状态是在允许到IC的敏感资源的状态时，验证供应电压是在比第一电压范围更严密的第二电压范围内，3启动一反应动作去回应来自NVM的操作状态的第一读取和第二读取之间的差异。
本发明授权集成电路以及保护集成电路的上电时序的方法在权利要求书中公布了：1.一种集成电路，其特征在于，包括： 非挥发性存储器，被配置以储存该集成电路的操作状态；以及 安全上电电路，被配置以执行： 在该集成电路的上电序列期间，当该集成电路的供应电压在第一电压范围内时，对该非挥发性存储器储存的该操作状态进行第一读取； 当该第一读取从该非挥发性存储器取得的该操作状态为允许存取该集成电路的敏感资源的状态时，验证该供应电压是否在比该第一电压范围更严密的第二电压范围内，若是，则对该非挥发性存储器储存的该操作状态进行第二读取；以及 启动一反应动作去回应该第一读取从该非挥发性存储器取得的该操作状态和该第二读取从该非挥发性存储器取得的该操作状态之间的差异。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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