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龙图腾网获悉同济大学申请的专利一种用于电磁波调控的反射式超表面单元结构获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114665276B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-25发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202011553029.4，技术领域涉及：H01Q15/00；该发明授权一种用于电磁波调控的反射式超表面单元结构是由武超;李宏强;李权;赵松;张智辉设计研发完成，并于2020-12-24向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种用于电磁波调控的反射式超表面单元结构在说明书摘要公布了：本发明涉及一种用于电磁波调控的反射式超表面单元结构，属于超表面电磁调控技术领域，解决了现有超表面单元结构的工作频带窄、效率低、相位难以调制、以及极化调控单一、使用场景受限的问题。该元结构包括：沿电磁波正入射方向依次排列的矩形导体片、介质层以及导体板，该介质层覆盖导体板，矩形导体片和导体板为该电磁波频段下对应的完美电导体；其中，矩形导体片、介质层和导体板具有相同的几何中心，且矩形导体片的长轴与导体板的水平轴呈预定夹角，预定夹角为矩形导体片的方向角，该方向角与电磁波的幅度和相位相关。该超表面单元结构的工作频带宽、效率高，对相位和幅度的调控灵活，且极化调控方式多样化，能够适用多种使用场景。

本发明授权一种用于电磁波调控的反射式超表面单元结构在权利要求书中公布了：1.一种艾利波束产生器，其特征在于，包括用于电磁波调控的反射式超表面单元结构组成的二维阵列和电磁波发生装置，所述反射式超表面单元结构包括：沿电磁波正入射方向依次排列的矩形导体片、介质层以及导体板，所述介质层覆盖所述导体板，所述矩形导体片和所述导体板为该电磁波频段下对应的完美电导体； 其中，所述矩形导体片、介质层和导体板具有相同的几何中心，矩形导体片、介质层和导体板沿结构共轴排布，且所述矩形导体片的长轴与导体板的水平轴呈预定夹角，所述预定夹角为矩形导体片的方向角，所述方向角与该电磁波的幅度和相位相关； 所述导体片的方向角与线极化入射电磁波转极化反射系数的幅度满足下述关系： A1＝A145°|sin2θ1|， 其中，θ1表示导体片的方向角，所述方向角的取值范围为-180°,180°]，A1表示线极化入射电磁波转极化反射系数的幅度，A145°表示导体片的方向角θ1为45°时，线极化入射电磁波转极化反射系数的幅度； 所述导体片的方向角与线极化入射电磁波同极化反射系数的幅度满足下述关系： A2＝A20°|cos2θ2|， 其中，θ2表示导体片的方向角，所述方向角的取值范围为-180°,180°]，A2表示线极化入射电磁波同极化反射系数的幅度，A20°表示导体片的方向角θ2为0°时，线极化入射电磁波同极化反射系数的幅度； 所述导体片的方向角取值范围为-18°°,-90°]或0°,+90°]时，线极化入射电磁波转极化反射系数的相位值为第一相位值，所述导体片的方向角取值范围为-90°,0°]或+90°,+180°]时，线极化入射电磁波转极化反射系数的相位值为第二相位值，所述第一相位值和第二相位值的相位差为180°； 所述导体片的方向角取值范围为-45°,+45°]、-180°,-135°]或+135°,+180°]时，线极化入射电磁波同极化反射系数的相位值为第一相位值，所述导体片的方向角取值范围为-135°,-45°]或+45°,+135°]时，线极化入射电磁波同极化反射系数的相位值为第二相位值，所述第一相位值和第二相位值的相位差为180°； 其中，在所述二维阵列的第一维度上，每个超表面单元结构的导体片的方向角的大小，与艾利波束在所述超表面单元结构位置处的口径幅度相对应；每个超表面单元结构的导体片的方向角的取值范围，与艾利波束在所述超表面单元结构位置处的口径相位相对应。

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