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龙图腾网获悉香港中文大学(深圳)申请的专利一种通过电流诱导在磁性多层膜中产生斯格明子的方法、磁性存储单元及存储器获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN112510146B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-25发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202011372063.1，技术领域涉及：H10N50/01；该发明授权一种通过电流诱导在磁性多层膜中产生斯格明子的方法、磁性存储单元及存储器是由周钰卿;周艳;赵月雷;武凯;杨晟;张溪超设计研发完成，并于2020-11-30向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种通过电流诱导在磁性多层膜中产生斯格明子的方法、磁性存储单元及存储器在说明书摘要公布了：本发明提供一种通过电流诱导在磁性多层膜中产生斯格明子的方法，所述方法包含如下步骤：S1、提供所述磁性多层膜，所述磁性多层膜包括依次层叠设置的第一磁性层、非磁性金属层和第二磁性层，所述磁性多层膜中形成一个以上反铁磁耦合的第一条带、以及一个以上铁磁耦合的第二条带，所述第一条带和所述第二条带交替形成；所述第一条带和所述第二条带沿第一方向相互平行；S2、将所述磁性多层膜接入电路并通入交流电流，在所述第一条带和所述第二条带的交界处产生所述斯格明子；其中，所述交流电流的频率为47kHz‑52kHz，峰值大小为37mA‑39mA。该方法可用于制备高集成度的器件，也便于和现有的半导体工艺兼容。

本发明授权一种通过电流诱导在磁性多层膜中产生斯格明子的方法、磁性存储单元及存储器在权利要求书中公布了：1.一种通过电流诱导在磁性多层膜中产生斯格明子的方法，其特征在于，所述方法包含如下步骤： S1、提供所述磁性多层膜，所述磁性多层膜包括依次层叠设置的第一磁性层、非磁性金属层和第二磁性层，所述非磁性金属层位于所述第一磁性层和第二磁性层之间，所述磁性多层膜中形成一个以上所述第一磁性层和第二磁性层处于反铁磁耦合的第一条带、以及一个以上所述第一磁性层和第二磁性层处于铁磁耦合的第二条带，所述第一条带和所述第二条带交替形成；所述第一条带和所述第二条带沿第一方向平行延伸，所述第一条带和所述第二条带沿第二方向交替分布，其中，所述第一方向与所述第二方向相互垂直，所述第一方向垂直于所述磁性多层膜的厚度方向； S2、将所述磁性多层膜接入电路并通入交流电流，所述交流电流沿所述第一方向通过所述磁性多层膜，并在所述第一条带和所述第二条带的交界处产生所述斯格明子； 其中，所述交流电流的频率为47kHz-52kHz，所述交流电流的峰值大小为37mA-39mA。

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