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龙图腾网获悉徐州鑫晶半导体科技有限公司申请的专利一种硅片表面金属杂质的管控方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN112614789B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-25发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202011349781.7，技术领域涉及：H01L21/66；该发明授权一种硅片表面金属杂质的管控方法是由蔡伟耀;卢健平设计研发完成，并于2020-11-26向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种硅片表面金属杂质的管控方法在说明书摘要公布了：本发明涉及硅片表面金属杂质的管控方法，所述方法包括以下步骤：提供硅片；进行湿润处理，将超纯水喷洒在所述硅片上，使所述硅片的表面充分湿润；将表面充分湿润的硅片进行干燥处理；重复湿润处理和干燥处理的步骤；进行酸溶液处理，用酸溶液处理所述硅片的表面，得到处理液；进行分析处理，使用ICPMS分析所述处理液中的金属离子含量；判断步骤，将检测到的所述金属离子含量与金属污染下限值进行比较，判断超纯水是否能够继续清洗硅片。由此，通过该方法可以检测出超纯水中的金属离子对硅片的污染量，能够确定超纯水中的金属离子对硅片表面的金属含量增加或减少的相对影响性，并且该方法还具有操作简单、准确率高的优点。

本发明授权一种硅片表面金属杂质的管控方法在权利要求书中公布了：1.一种硅片表面金属杂质的管控方法，其特征在于，所述方法包括以下步骤： 提供硅片，所述硅片为具有亲水性薄膜的硅片，所述具有亲水性薄膜的硅片是经化学品处理后得到的，所述化学品包括NH4OH与H2O2的混合液和HClH2O溶液的至少一种； 进行湿润处理，将超纯水喷洒在所述硅片上，使所述硅片的表面充分湿润，所述硅片的表面充分湿润是指所述硅片上的每个区域都被超纯水润湿，且表面形成水膜，所述湿润处理中，超纯水的喷射方向垂直于所述硅片所在的平面，所述湿润处理包括：在硅片中心的上方喷洒超纯水，硅片进行旋转，通过离心力将超纯水甩到中心以外的区域，实现硅片表面全覆盖超纯水； 将表面充分湿润的硅片进行干燥处理； 重复湿润处理和干燥处理的步骤，所述重复的次数为3次或4次； 进行酸溶液处理，用酸溶液处理所述硅片的表面，得到处理液； 进行分析处理，使用ICPMS分析所述处理液中的金属离子含量； 判断步骤，将检测到的所述金属离子含量与金属污染下限值进行比较，判断超纯水是否能够继续清洗硅片。

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