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龙图腾网获悉苏州晶湛半导体有限公司申请的专利半导体结构及其制作方法、发光器件及其制作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116420239B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-25发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202080106630.0，技术领域涉及：H10H20/821；该发明授权半导体结构及其制作方法、发光器件及其制作方法是由张丽旸设计研发完成，并于2020-11-18向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体结构及其制作方法、发光器件及其制作方法在说明书摘要公布了：本申请提供一种半导体结构及其制作方法、发光器件及其制作方法。该半导体结构包括：衬底、第一半导体层、隔离层、有源层、第二半导体层、第一电极和第二电极；第二半导体层为导电DBR结构；第一半导体层包括沿竖直方向依次层叠的平坦部、第一凸起部和第二凸起部，第二凸起部与第一通孔一一对应，且第二凸起部间隔设置，第二凸起部的侧面为斜面；有源层、第二半导体层、第一电极依次层叠设置于第一半导体层的第二凸起部上；隔离层开设有第二通孔，第二电极形成于第二通孔中。该发光器件包括该半导体结构。本申请通过设置将第二半导体层设置为可导电的DBR结构，同时，将外延结构的侧壁设置为斜面，能够提高半导体器件发光效率。

本发明授权半导体结构及其制作方法、发光器件及其制作方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构，其特征在于，所述半导体结构包括：衬底、第一半导体层、隔离层、有源层、第二半导体层、第一电极和第二电极；所述第一半导体层与所述第二半导体层的导电类型相反，所述第二半导体层为导电DBR结构； 所述导电DBR结构为多孔导电DBR结构，所述多孔导电DBR结构包括第一多孔导电层与第二多孔导电层，其中，第一多孔导电层中形成有多个第一孔洞，第二多孔导电层中形成有多个第二孔洞，所述第一孔洞的直径与第二孔洞的直径不同； 所述第一半导体层包括沿竖直方向依次层叠的平坦部、第一凸起部和第二凸起部，所述平坦部形成于所述衬底上，所述隔离层形成于所述平坦部上并沿竖直方向开设有多个第一通孔，所述第一凸起部形成于所述第一通孔内，所述第二凸起部形成于所述第一凸起部上，所述第二凸起部与所述第一通孔一一对应，且所述第二凸起部间隔设置，所述第二凸起部的侧面为斜面； 所述有源层、所述第二半导体层、所述第一电极依次层叠设置于所述第一半导体层的第二凸起部上； 所述隔离层还沿竖直方向开设有第二通孔，所述第二电极形成于所述第二通孔中，且与所述第一半导体层连接。

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