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龙图腾网获悉成都天朗电子科技有限公司申请的专利一种源极跟随形式的均衡电路获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN112350714B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-25发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202011212356.3，技术领域涉及：H03K19/0185；该发明授权一种源极跟随形式的均衡电路是由钱程设计研发完成，并于2020-11-03向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种源极跟随形式的均衡电路在说明书摘要公布了：一种源极跟随形式的均衡电路，采用对称的共源电路结构，分为左电路和右电路，左电路为：从第一电源处接出一个电阻R1后连接到NMOS管NM1的D极连接，NMOS管NM1的G极通过电容C1连接到NMOS管NM1的S极，所述NMOS管NM1的S极通过电容C2后接地，所述NMOS管NM1的S极后接地；本方案通过NMOS管的gm和C1形成的零点，以及R1，C1和NMOS管的gm形成的极点，以及Av|high和Av|low的不同，达到了均衡的效果，在实现均衡的同时兼顾了共模电平转换的要求。电路简单，面积小，对于衰减不是太大的直流耦合电路尤其适用。

本发明授权一种源极跟随形式的均衡电路在权利要求书中公布了：1.一种源极跟随形式的均衡电路，其特征在于：采用对称的共源电路结构，分为左电路和右电路，左电路为：从第一电源连接到NMOS管NM1的D极连接，NMOS管NM1的G极通过电容C1连接到NMOS管NM1的S极，所述NMOS管NM1的S极通过电容C2后接地，所述NMOS管NM1的S极还通过一个电阻R1后接地； 右电路：从第二电源连接到NMOS管NM2的D极连接，NMOS管NM2的G极通过电容C3连接到NMOS管NM2的S极，所述NMOS管NM2的S极通过电容C4后接地，所述NMOS管NM2的S极还通过一个电阻R2后接地；所述NMOS管NM1和NMOS管NM2的PN连接后接地； 所述电容C1和电容C3相同，电容C2和电容C4相同，电阻R1和电阻R2相同，NMOS管NM1和NMOS管NM2相同；以NMOS管NM1的G极为高电平输入Vin+，以NMOS管NM1的S极为高电平输出Vo+；以NMOS管NM2的G极为低电平输入Vin-，以NMOS管NM2的S极为低电平输出Vo-； 其中，，，，； 通过NMOS管NM1的gm和电容C1形成的零点，以及电阻R1、电容C1和NMOS管NM1的gm形成的极点，以及高频增益Av|high和低频增益Av|low的不同，达到了均衡的效果，在实现均衡的同时兼顾了共模电平转换的要求。

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