台湾积体电路制造股份有限公司沙哈吉·B·摩尔获国家专利权
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龙图腾网获悉台湾积体电路制造股份有限公司申请的专利半导体器件及其形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN112750818B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-25发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202011118370.7，技术领域涉及：H10D84/83；该发明授权半导体器件及其形成方法是由沙哈吉·B·摩尔;钱德拉谢卡尔·P.·萨万特;余典卫;蔡家铭设计研发完成，并于2020-10-19向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体器件及其形成方法在说明书摘要公布了：一种器件包括：半导体区；界面层，位于半导体区上方，该界面层包括半导体氧化物；高k介电层，位于界面层上方；混合层，位于高k介电层上方。混合层包括氧、高k介电层中的金属、以及另外的金属。功函层位于混合层上方。填充金属区位于功函层上方。本申请的实施例还提供半导体器件及其制造方法。
本发明授权半导体器件及其形成方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件，包括： 半导体区； 界面层，位于所述半导体区上方，所述界面层包括半导体氧化物； 高k介电层，位于所述界面层上方； 混合层，位于所述高k介电层上方，其中，所述混合层包括从所述界面层中扩散的氧、所述高k介电层中的金属、以及另外的金属； 功函层，位于所述混合层上方；以及 填充金属区，位于所述功函层上方。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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