世界先进积体电路股份有限公司王裕凯获国家专利权
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龙图腾网获悉世界先进积体电路股份有限公司申请的专利静电放电保护电路以及半导体电路获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114388492B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-25发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202011117318.X，技术领域涉及：H10D89/60；该发明授权静电放电保护电路以及半导体电路是由王裕凯;李建兴;林昌民设计研发完成，并于2020-10-19向国家知识产权局提交的专利申请。
本静电放电保护电路以及半导体电路在说明书摘要公布了：本发明提供了一种静电放电保护电路以及半导体电路，用于一半导体元件。半导体元件具有第一漏源极电极以及第二漏源极电极，且由深阱包围。静电放电保护电路包括控制电路以及放电电路。控制电路电连接于第一漏源极电极与电源端之间，具有电连接深阱的控制端，且产生控制信号。放电电路电连接第一漏源极电极与电源端之间，且受控于控制信号。当于第一漏源极电极上发生一静电放电事件时，控制电路根据深阱的电位状态以及第一漏源极电极的电位状态来产生控制信号，且放电电路根据控制信号提供介于第一漏源极电极与电源端之间的一放电路径。本发明提供的静电放电保护电路不具有已知技术所采用的一电容‑电阻电路，因此占用较小的面积。
本发明授权静电放电保护电路以及半导体电路在权利要求书中公布了：1.一种静电放电保护电路，其特征在于，用于一半导体元件，该半导体元件具有一第一漏源极电极以及一第二漏源极电极，且由一深阱包围，包括： 一第一控制电路，电连接于该半导体元件的该第一漏源极电极与一电源端之间，且具有一第一控制端，其中，该第一控制端电连接该深阱，且该第一控制电路产生一第一控制信号；以及 一第一放电电路，电连接该第一漏源极电极与该电源端之间，且受控于该第一控制信号； 其中，当于该第一漏源极电极上发生一静电放电事件时，该第一控制电路根据该深阱的一电位状态以及该第一漏源极电极的一电位状态来产生该第一控制信号，且该第一放电电路根据该第一控制信号提供介于该第一漏源极电极与该电源端之间的一第一放电路径。
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