长江先进存储产业创新中心有限责任公司刘峻获国家专利权
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龙图腾网获悉长江先进存储产业创新中心有限责任公司申请的专利用于四个堆叠层三维交叉点存储器的阵列和接触架构获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN114005829B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-25发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202111270369.0,技术领域涉及:H10B41/20;该发明授权用于四个堆叠层三维交叉点存储器的阵列和接触架构是由刘峻设计研发完成,并于2020-10-15向国家知识产权局提交的专利申请。
本用于四个堆叠层三维交叉点存储器的阵列和接触架构在说明书摘要公布了:用于三维交叉点存储单元的架构包括多个平面且相互平行的位片区的层,位片区中的每个包括在位线方向上延伸的位线。该架构还包括位片区通过触点电连接到的解码器。每个位片区层具有每解码器的片区比,该每解码器的片区比被定义为层中的位片区与层中至少一个片区电连接到的许多解码器的比。至少一个位片区层具有大于1:1的不同的每解码器的片区比。
本发明授权用于四个堆叠层三维交叉点存储器的阵列和接触架构在权利要求书中公布了:1.一种用于三维存储单元的阵列和接触架构,包括: 多个平面且相互平行的位片区层,所述位片区层中的每个包括在位线方向上延伸的位线; 解码器,所述位片区层通过触点电连接到所述解码器, 其中, 所述多个位片区层包括: 第一层; 中间层,所述中间层更靠近所述解码器,并且在所述位线方向上包括比所述第一层中的位片区短的位片区,使得所述中间层的位片区能够装配在与所述第一层中的位片区相关联的触点之间;以及 外层,所述外层比所述中间层更靠近所述解码器,并且在所述位线方向上包括比所述中间层中的所述位片区短的位片区,使得所述外层中的位片区能够装配在与所述第一层和所述中间层中的位片区相关联的触点之间, 其中,每个位片区层具有每解码器的片区比,所述每解码器的片区比被定义为所述位片区层中的位片区的总数与电连接到所述位片区层中的位片区的解码器的总数的比,并且所述中间层具有大于所述第一层的每解码器的片区比。
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