李培刚获国家专利权
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龙图腾网获悉李培刚申请的专利肖特基二极管及其制备方法、芯片获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN114335193B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-25发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202011071857.4,技术领域涉及:H10D8/60;该发明授权肖特基二极管及其制备方法、芯片是由李培刚设计研发完成,并于2020-10-09向国家知识产权局提交的专利申请。
本肖特基二极管及其制备方法、芯片在说明书摘要公布了:本申请提供一种肖特基二极管,包括:衬底;外延层,形成于所述衬底上;肖特基金属层,形成于所述外延层上,其中,所述肖特基金属层中金属成分自与所述外延层界面沿所述肖特基金属层垂直方向连续变化;电极层,包括:形成于所述肖特基金属层上的电极层,以及背电极。本申请的肖特基二极管,具有连续成分变化的肖特基金属层,可避免界面缺陷,二极管稳定性更高。
本发明授权肖特基二极管及其制备方法、芯片在权利要求书中公布了:1.一种肖特基二极管,其特征在于,包括: 衬底; 外延层,形成于所述衬底上; 肖特基金属层,形成于所述外延层上,其中,所述肖特基金属层中金属成分自与所述外延层界面沿所述肖特基金属层垂直方向连续变化; 电极层,包括:形成于所述肖特基金属层上的电极层,以及背电极; 所述肖特基金属层包括氮化钛; 所述肖特基金属层的厚度为200-300纳米; 所述金属成分自所述外延层界面沿所述肖特基金属层垂直方向增加。
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