中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司赵海获国家专利权
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龙图腾网获悉中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司申请的专利半导体结构及其形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114334825B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-25发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202011061104.5，技术领域涉及：H10D84/03；该发明授权半导体结构及其形成方法是由赵海设计研发完成，并于2020-09-30向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体结构及其形成方法在说明书摘要公布了：一种半导体结构及其形成方法，形成方法包括：提供基底，基底包括第一区域和第二区域，基底包括衬底和位于衬底上的多个鳍部，鳍部包括第一防穿通层、位于第一防穿通层上的第二防穿通层以及位于第二防穿通层上的第一沟道层，第一防穿通层中掺杂有第一型离子，第二防穿通层中掺杂有第二型离子；在鳍部露出的衬底上形成隔离材料层；去除第一区域的第二防穿通层和第一沟道层，形成凹槽；在凹槽中形成第二沟道层。在半导体结构工作时，第一防穿通层降低了第一区域的源极和漏极穿通的概率，第二防穿通层降低了第二区域的源极和漏极穿通的概率，有利于提高半导体结构的电学性能。
本发明授权半导体结构及其形成方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括： 提供基底，所述基底包括第一区域和第二区域，所述基底包括衬底和位于所述衬底上的多个鳍部，所述鳍部包括第一防穿通层、位于所述第一防穿通层上的第二防穿通层以及位于所述第二防穿通层上的第一沟道层，所述第一防穿通层中掺杂有第一型离子，所述第二防穿通层中掺杂有第二型离子，所述第一型离子的导电类型和第二型离子的导电类型不同； 在所述鳍部露出的所述衬底上形成隔离材料层，所述隔离材料层覆盖所述鳍部的侧壁； 去除所述第一区域的所述第二防穿通层和第一沟道层，在所述隔离材料层中形成凹槽； 在所述凹槽中形成第二沟道层。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司，其通讯地址为：201203 上海市浦东新区中国（上海）自由贸易试验区张江路18号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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