台湾积体电路制造股份有限公司林孟汉获国家专利权
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龙图腾网获悉台湾积体电路制造股份有限公司申请的专利多晶硅电阻结构与其制作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN112420693B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-25发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010825518.4，技术领域涉及：H10D84/80；该发明授权多晶硅电阻结构与其制作方法是由林孟汉;黄文铎;才永轩设计研发完成，并于2020-08-17向国家知识产权局提交的专利申请。
本多晶硅电阻结构与其制作方法在说明书摘要公布了：本揭露是一种多晶硅电阻结构与其制作方法，形成具有高介电常数介电质与多晶硅栅极电极的多晶硅电阻的方法包含沉积电阻堆叠于基材上，且此基材包含分隔开来的第一隔离区域及第二隔离区域。此方法还包含图案化电阻堆叠，以形成多晶硅电阻结构于第一隔离区域上，且形成栅极结构于第一隔离区域与第二隔离区域之间，以及掺杂多晶硅电阻结构，以形成掺杂层于多晶硅电阻结构的多晶硅层中，且形成源极漏极区域于相邻栅极结构的基材中。此外，方法包含以金属栅极电极替换在栅极结构中的多晶硅层，以形成晶体管结构。
本发明授权多晶硅电阻结构与其制作方法在权利要求书中公布了：1.一种多晶硅电阻结构，其特征在于，该多晶硅电阻结构包含： 一半导体基材，具有形成于该半导体基材中分隔开来的一第一隔离区域及一第二隔离区域，其中该第一隔离区域是宽于该第二隔离区域； 一电阻结构，设置在该第一隔离区域上，其中该电阻结构包括： 一介电层，接触该第一隔离区域； 一氮化物层，设置在该介电层上；以及 一半导体层，设置在该氮化物层上，且该半导体层包含具有一硅化部分的一掺杂顶部分，该半导体层是均匀地掺杂的，该硅化部分覆盖该半导体层的整个顶表面；以及 一晶体管结构，设置在该第一隔离区域与该第二隔离区域之间，其中该晶体管结构包含： 一界面层，接触该半导体基材，其中该介电层是设置在该界面层上； 一金属栅极电极，设置于该介电层上；以及 一源极漏极区域，形成在该半导体基材中且相邻于该金属栅极电极。
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