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龙图腾网获悉硅存储技术股份有限公司申请的专利用于集成电路的低电压电平移位器获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN112865778B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-25发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201911192206.8，技术领域涉及：H03K19/017；该发明授权用于集成电路的低电压电平移位器是由梅杰;X·钱;H·V·特兰;C·朱设计研发完成，并于2019-11-28向国家知识产权局提交的专利申请。

本用于集成电路的低电压电平移位器在说明书摘要公布了：本发明题为“用于集成电路的低电压电平移位器”。公开了一种改进的电平移位器。该电平移位器对于VDDL使用相对低的电压诸如0.75V能够实现低于1ns的切换时间。该改进的电平移位器包括耦合级和电平转换级。还公开了一种相关的电平移位方法。

本发明授权用于集成电路的低电压电平移位器在权利要求书中公布了：1.一种用于接收第一电压域的输入并生成第二电压域的输出的电平移位器，其中所述第一电压域中的“0”和“1”分别为第一电压和第二电压，并且所述第二电压域中的“0”和“1”分别为所述第一电压和不同于所述第二电压的第三电压，所述电平移位器包括： 第一电源，其提供所述第三电压； 第一PMOS晶体管，其包括耦接到所述第一电源的第一端子、栅极和第二端子； 第二PMOS晶体管，其包括耦接到所述第一电源的第一端子、耦接到所述第一PMOS晶体管的所述第二端子的栅极、以及耦接到所述第一PMOS晶体管的所述栅极并耦接到用于提供所述输出的输出节点的第二端子； 第一NMOS晶体管，其包括耦接到所述第一PMOS晶体管的所述第二端子的第一端子、被配置为接收第一信号的栅极；以及第二端子； 第二NMOS晶体管，其包括耦接到所述第一NMOS晶体管的所述第二端子的第一端子、被配置为接收所述输入的栅极、以及耦接到所述第一电压的第二端子； 第三NMOS晶体管，其包括耦接到所述输出节点的第一端子、被耦接以接收第二信号的栅极和第二端子；和 第四NMOS晶体管，其包括耦接到所述第三NMOS晶体管的所述第二端子的第一端子、被配置为接收所述输入的补码的栅极、以及耦接到所述第一电压的第二端子； 其中当所述输入处于所述第一电压时，所述第一信号为所述第二电压，所述第二信号为所述第二电压的两倍，所述输出为所述第一电压，并且 当所述输入处于所述第二电压时，所述第一信号为所述第二电压的两倍，所述第二信号为所述第二电压，所述输出为所述第三电压。

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