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龙图腾网获悉中芯长电半导体(江阴)有限公司申请的专利扇出型天线封装结构及封装方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN110854107B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-25发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201810949023.5，技术领域涉及：H01L23/66；该发明授权扇出型天线封装结构及封装方法是由陈彦亨;林正忠;吴政达设计研发完成，并于2018-08-20向国家知识产权局提交的专利申请。

本扇出型天线封装结构及封装方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种扇出型天线封装结构及封装方法，所述封装结构包括：重新布线层；位于重新布线层第二面上的第一金属连接柱；位于第一金属连接柱上的第一天线金属层；与重新布线层电性连接的半导体芯片；覆盖重新布线层、第一金属连接柱、第一天线金属层及半导体芯片且显露第一天线金属层及粘合层的第一封装层；位于第一天线金属层上的第二金属连接柱；位于第二金属连接柱上且与第二金属连接柱电性连接的第二天线金属层；覆盖第二金属连接柱及第二天线金属层且显露第二天线金属层的第二封装层；以及位于重新布线层第一面的金属凸块。本发明实现多层天线金属层的整合，有效缩小封装体积，具有较高的集成度以及电性稳定性。

本发明授权扇出型天线封装结构及封装方法在权利要求书中公布了：1.一种扇出型天线封装结构，其特征在于，所述封装结构包括： 重新布线层，所述重新布线层包括相对的第一面及第二面，所述重新布线层包括依次层叠的图形化的介质层及图形化的金属布线层； 第一金属连接柱，位于所述重新布线层的第二面上，且与所述重新布线层电性连接； 第一天线金属层，位于所述第一金属连接柱上，且与所述第一金属连接柱电性连接； 半导体芯片，位于所述重新布线层的第二面上，且与所述重新布线层电性连接，所述半导体芯片还包括与所述半导体芯片的接触焊垫相连接的芯片金属部，且所述芯片金属部的侧面被所述重新布线层包覆，以增强所述半导体芯片与所述重新布线层之间的电性稳定性； 第一封装层，覆盖所述重新布线层、第一金属连接柱、第一天线金属层及半导体芯片，且所述第一封装层显露所述第一天线金属层及粘合于所述半导体芯片的粘合层； 第二金属连接柱，位于所述第一天线金属层上，且与所述第一天线金属层电性连接； 第二天线金属层，位于所述第二金属连接柱上，且与所述第二金属连接柱电性连接，实现多层天线金属层的整合，提高天线的效率及性能，进一步提高天线封装结构的整合性，缩小封装体积，使得天线封装结构具有较高的集成度； 第二封装层，覆盖所述第二金属连接柱及第二天线金属层，且所述第二封装层显露所述第二天线金属层；以及 金属凸块，位于所述重新布线层的第一面上，所述金属凸块包括铜金属凸块、镍金属凸块、锡金属凸块及银金属凸块中的一种。

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