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龙图腾网获悉中国电子科技集团公司第五十八研究所申请的专利一种基于SOI CMOS工艺的三维集成芯片的制备方法及结构获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120261308B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-29发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510750413.X，技术领域涉及：H01L21/50；该发明授权一种基于SOI CMOS工艺的三维集成芯片的制备方法及结构是由常瑞恒;顾祥;李金航;纪旭明;李佳隆;潘瑜;郭浩;谢儒彬;洪根深设计研发完成，并于2025-06-06向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种基于SOI CMOS工艺的三维集成芯片的制备方法及结构在说明书摘要公布了：本发明属于半导体集成电路技术领域，具体涉及一种基于SOICMOS工艺的三维集成芯片的制备方法及结构。本发明使用SOICMOS工艺制备多个不同功能的晶圆，然后通过临时键合、衬底去除、晶圆对准、永久键合、解临时键合、金属互连等工艺将多个晶圆逐层堆叠形成三维集成芯片。本发明制造方法具有与硅基工艺兼容，降低工艺开发难度；可在不影响器件性能的前提下降衬底完全去除，缩短芯片间互连距离；采用临时键合的方式，通过可见光即可实现高精度对准；采用芯片正面向上逐层堆叠的方式，电路设计无需镜像、翻转等操作，极大地降低了电路设计难点；可将不同制程的芯片分开制造，大幅降低芯片制备成本等优点。

本发明授权一种基于SOI CMOS工艺的三维集成芯片的制备方法及结构在权利要求书中公布了：1.一种基于SOICMOS工艺的三维集成芯片的制备方法，其特征在于，包括如下步骤： 步骤S1：提供多个SOI圆片； 步骤S2：通过SOICMOS工艺，将多个SOI圆片进行加工，以形成多个不同功能的SOI电路圆片；SOI电路圆片的顶部均被钝化层覆盖并使用CMP工艺进行抛光； 步骤S3：将其中一个SOI电路圆片作为三维集成芯片的第一层SOI电路； 步骤S4：将临时键合胶旋涂于另一个SOI电路圆片上及支撑的玻璃衬底上； 步骤S5：将另一个SOI电路圆片的胶面与玻璃衬底的胶面对准并加压，同时使用紫外光照射，将二者临时键合； 步骤S6：对键合在玻璃衬底上的SOI电路圆片进行背减薄加工，经过粗磨、抛光、化学腐蚀和CMP工艺将SOI电路圆片的硅衬底部分去除，在玻璃衬底上得到超薄SOI电路； 步骤S7：对超薄SOI电路与第一层SOI电路进行等离子体表面改性； 步骤S8：将第一层SOI电路固定于键合平台，将超薄SOI电路插入第一层SOI电路与镜头中间，通过镜头抓取两个对准标记，将超薄SOI电路与第一层SOI电路对准并靠近，然后使用夹持器将两SOI电路进行夹持； 步骤S9：去掉夹持器中垫片，将两SOI电路完全贴合，通过加压和退火工艺将两SOI电路永久键合； 步骤S10：使用激光照射玻璃衬底，解除玻璃衬底的临时键合，以形成两层堆叠的晶圆； 步骤S11：使用通孔刻蚀、金属填充和金属布线工艺将两层堆叠晶圆中的电路进行金属互连，形成三维堆叠集成电路； 步骤S12：重复上述步骤S4至步骤S11，能够持续向上堆叠，以形成多层堆叠三维集成电路。

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