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龙图腾网获悉中国电子科技集团公司第五十八研究所申请的专利一种针对FLASH存算阵列的位线驱动电路获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120234292B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-29发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510718036.1，技术领域涉及：G06F15/78；该发明授权一种针对FLASH存算阵列的位线驱动电路是由李雨琦;魏敬和;刘国柱;徐俊;刘德;赵伟;李涵;宋佳柔;隋志远;刘美杰设计研发完成，并于2025-05-30向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种针对FLASH存算阵列的位线驱动电路在说明书摘要公布了：本发明公开一种针对FLASH存算阵列的位线驱动电路，属于集成电路领域，包括开关电位传递模块、读存算开关模块和擦除编程开关模块。所述开关电位传递模块的输入端接收工作状态控制信号和电源信号，输出端接读存算开关模块和擦除编程开关模块的源极、漏极和衬底；所述读存算开关模块的源极、漏极和衬底接开关电位传递模块的输出端，栅极接控制信号，输出端接FLASH存算阵列位线；所述擦除编程开关模块的源极、漏极和衬底接开关电位传递模块的输出端，栅极接控制信号，输出端接FLASH存算阵列位线。本发明能根据控制信号要求快速准确地提供FLASH存算阵列中各单元的位线电位，同时保持未选阵列单元的低功耗水平。

本发明授权一种针对FLASH存算阵列的位线驱动电路在权利要求书中公布了：1.一种针对FLASH存算阵列的位线驱动电路，其特征在于， 位线驱动电路的输出用于提供FLASH存算阵列中多个存算阵列单元位线的电位； 所述位线驱动电路包括开关电位传递模块、读存算开关模块、擦除编程开关模块； 开关电位传递模块的输入端接收控制信号和电源信号，输出第一电位~第六电位，共六种电位，接给读存算开关模块和擦除编程开关模块中各器件的源极、漏极、衬底和深n阱； 读存算开关模块的源极、漏极、衬底和深n阱接开关电位传递模块的输出端，内部器件栅极接控制信号和第四电位、第五电位，输出端接FLASH存算阵列的位线； 擦除编程开关模块的源极、漏极和衬底接开关电位传递模块的输出端，栅极接控制信号，输出端接FLASH存算阵列的位线； 所述读存算开关模块包括第一NMOS管、第二NMOS管、第三NMOS管、第四NMOS管和第一反相器，且需要源线电位作为输入；其中， 第一NMOS管制作在深n阱中的p阱里，其栅端连接开关电位传递模块输出的第四电位，源端与第二NMOS管的漏端、第三NMOS管的漏端相连，漏端与第四NMOS管的漏端相连并接到位线输出上，衬底接第三电位，深n阱接地，p阱接第三电源； 第二NMOS管的栅端接列选信号，源端、衬底接地，漏端与第一NMOS管的源端和第三NMOS管的漏端相连； 第三NMOS管的栅端接第一反相器的输出，源端接源线电位，漏端接第一NMOS管的源端和第二NMOS管的漏端，衬底接地； 第四NMOS管的栅端接第五电位，源端和衬底接地，漏端与第一NMOS管的漏端相连并接到位线输出上； 第一反相器的输入接列选信号，输出接第三NMOS管的栅端。

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