淮安捷泰新能源科技有限公司鲁伟明获国家专利权
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龙图腾网获悉淮安捷泰新能源科技有限公司申请的专利一种硼、磷掺杂Poly层的钝化方法及其钝化接触结构和电池获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120239361B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-29发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510712254.4，技术领域涉及：H10F71/00；该发明授权一种硼、磷掺杂Poly层的钝化方法及其钝化接触结构和电池是由鲁伟明;卢爽;张小帅;鲁伟震;朱玺;王德玲设计研发完成，并于2025-05-30向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种硼、磷掺杂Poly层的钝化方法及其钝化接触结构和电池在说明书摘要公布了：本发明公开了一种硼、磷掺杂Poly层的钝化方法及其钝化接触结构和电池。该钝化方法先采用低温低压氧化、高温常压氧化、低温常压氧化相结合的方式，在硅片表面生长出两侧薄且致密、中间厚且疏松的隧穿氧化层，再采用高温扩散管进行硼原子和或磷原子的沉积与氧化推进，使Poly硅层中掺杂一定浓度的硼、磷。本发明通过不同致密性氧化层的叠加，提升了隧穿氧化层的整体厚度，使后续硼、磷扩散过程中隧穿氧化层结构不至于被明显破环，明显提高硼、磷掺杂Poly层的钝化效果。本发明的钝化方法可以得到不同厚度的Poly硅层及掺杂多晶硅层，可以应用于一切需要使用硼Poly、磷Poly的电池。
本发明授权一种硼、磷掺杂Poly层的钝化方法及其钝化接触结构和电池在权利要求书中公布了：1.一种硼、磷掺杂Poly层的钝化方法，其特征在于，包括以下步骤： S1、提供洁净抛光的硅片，采用LPCVD设备，抽真空，通入氧气，在600℃以下的低温低压下，对硅片进行第一次氧化，在硅片表面生长出厚度为0.3~0.8nm且致密的第一氧化层； S2、在步骤S1的温度上升高50~220℃，持续通入氧气，在大于或等于1个标准大气压下，对硅片进行第二次氧化，在硅片表面继续生长出厚度为0.5~1nm且疏松的第二氧化层； S3、停止通入氧气，保持压力不变，降低温度至600℃以下，对硅片进行第三次氧化，在硅片表面继续生长出厚度为0.1~0.4nm且致密的第三氧化层； S4、继续采用LPCVD设备，在步骤S3的温度上升高0~50℃，抽真空后通入硅烷，在高温低压下，在第一氧化层上沉积Poly硅层，直至达到工艺需求的膜层厚度； S5、采用高温扩散管，进行硼原子或磷原子的沉积与氧化推进，使Poly硅层中掺杂一定浓度的硼或磷，形成掺杂多晶硅层。
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