南京邮电大学刘爱萍获国家专利权
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龙图腾网获悉南京邮电大学申请的专利一种基于复合波导全息光栅的冷原子调控芯片装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120199534B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-29发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510677905.0，技术领域涉及：G21K1/06；该发明授权一种基于复合波导全息光栅的冷原子调控芯片装置是由刘爱萍;佘加贝;任安东;任希锋;邹长铃设计研发完成，并于2025-05-26向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种基于复合波导全息光栅的冷原子调控芯片装置在说明书摘要公布了：本发明公开了一种基于复合波导全息光栅的冷原子调控芯片装置，该结构主要由置于二氧化硅基底上的氮化硅波导构成，所述氮化硅波导包括一组x方向波导和两组y方向波导，所述波导的交叉区域分别刻蚀有复合波导全息光栅G1和复合波导全息光栅G2；所述y方向波导的端口由复合波导全息光栅G1和复合波导全息光栅G2衍射产生两束涡旋光，用于在芯片上方相交形成囚禁冷原子的光学偶极阱；所述x方向波导通过端口P in由复合波导全息光栅G1衍射产生高斯光，并聚焦对准光学偶极阱中心。本发明在芯片上能够实现原子捕获、原子内态激发和荧光检测功能，解决了现有光子‑原子芯片多个冷原子调控的装置集成兼容性矛盾的问题。
本发明授权一种基于复合波导全息光栅的冷原子调控芯片装置在权利要求书中公布了：1.一种基于复合波导全息光栅的冷原子调控芯片装置，其特征在于，由置于二氧化硅基底上的氮化硅波导构成，所述氮化硅波导包括一组x方向波导和两组y方向波导，波导的交叉区域分别刻蚀有复合波导全息光栅G1和复合波导全息光栅G2； 所述y方向波导的端口由复合波导全息光栅G1和复合波导全息光栅G2衍射产生两束涡旋光，用于在芯片上方相交形成囚禁冷原子的光学偶极阱； 所述x方向波导通过端口由复合波导全息光栅G1衍射产生高斯光，并聚焦对准光学偶极阱中心。
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