青禾晶元(晋城)半导体材料有限公司杨抗帅获国家专利权
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龙图腾网获悉青禾晶元(晋城)半导体材料有限公司申请的专利衬底膜厚测量装置获国家实用新型专利权,本实用新型专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN223166103U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-29发布的实用新型授权公告中获悉:该实用新型的专利申请号/专利号为:202422403837.2,技术领域涉及:G01B11/06;该实用新型衬底膜厚测量装置是由杨抗帅;母凤文;刘福超;谭向虎设计研发完成,并于2024-09-30向国家知识产权局提交的专利申请。
本衬底膜厚测量装置在说明书摘要公布了:本申请涉及半导体材料加工技术领域,尤其涉及一种衬底膜厚测量装置,包括:装置本体,所述装置本体具有台面,所述台面用于承载衬底;检测孔,设于所述台面上,连通于所述装置本体的内腔;校准片,设于所述装置本体的内腔中,能够选择性的呈现在所述检测孔的下方;信号收发组件,用于发射和接收光信号;定位组件,用于限定所述衬底与所述台面的相对位置。本申请提供的衬底膜厚测量装置,同一装置能够进行不同尺寸、不同材质衬底的膜厚及膜厚均匀性检测,兼容性好。
本实用新型衬底膜厚测量装置在权利要求书中公布了:1.衬底膜厚测量装置,其特征在于,包括:装置本体,所述装置本体具有台面,所述台面用于承载衬底; 检测孔,设于所述台面上,连通于所述装置本体的内腔; 校准片,设于所述装置本体的内腔中,能够选择性的呈现在所述检测孔的下方; 信号收发组件,用于发射和接收光信号; 定位组件,用于限定所述衬底与所述台面的相对位置。
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