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龙图腾网获悉广东工业大学申请的专利一种线性灵敏度优化的皮瓦级CMOS电压基准源获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115469705B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-29发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211035190.1，技术领域涉及：G05F1/567；该发明授权一种线性灵敏度优化的皮瓦级CMOS电压基准源是由杨尚儒;余凯;李思臻设计研发完成，并于2022-08-26向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种线性灵敏度优化的皮瓦级CMOS电压基准源在说明书摘要公布了：本发明公开了一种线性灵敏度优化的皮瓦级CMOS电压基准源，具体包括启动电路模块、核心基准源电路模块，其中启动电路模块用于使基准源在启动的过程中摆脱简并点进入正常的工作状态，核心基准源电路模块包括有用于产生基准电压Vref的有源负载。本方法与传统电压基准源技术相比，没有采用三极管和电阻，结构简单，占用芯片面积小；提出了一种线性灵敏度优化的方法，反向利用晶体管的DIBL效应，使基准电压的线性灵敏度得到大幅度的降低，得到自偏置的超低功耗电路。

本发明授权一种线性灵敏度优化的皮瓦级CMOS电压基准源在权利要求书中公布了：1.一种线性灵敏度优化的皮瓦级CMOS电压基准源，其特征在于，包括启动电路模块、核心基准源电路模块，其中启动电路模块用于使基准源在启动的过程中摆脱简并点进入正常的工作状态，核心基准源电路模块包括有用于产生基准电压Vref的有源负载； 所述核心基准源电路模块包括有：第一低阈值PMOS管M1、第二低阈值PMOS管M2、第一低阈值NMOS管M3、第一高阈值NMOS管M4、第二低阈值NMOS管M5、第三低阈值NMOS管M6、第四低阈值NMOS管M7、第三低阈值PMOS管M8； 所述启动电路模块包括有第五低阈值NMOS管M9、第四低阈值PMOS管M10、第五低阈值PMOS管M11、第六低阈值PMOS管M12、第七低阈值PMOS管M13、第五低阈值NMOS管M14；其中第一高阈值NMOS管M4和第二低阈值NMOS管M5组成有源负载； 其中，电源电压VDD分别输入至第一低阈值PMOS管M1的源极、第二低阈值PMOS管M2的源极、第三低阈值PMOS管M8的源极、第七低阈值PMOS管M13的源极； 第一低阈值PMOS管M1的栅极通过第五低阈值NMOS管M14的漏极分别连接至第二低阈值PMOS管M2的栅极、第三低阈值PMOS管M8的栅极，第一低阈值PMOS管M1的漏极分别连接至第一低阈值NMOS管M3的漏极和栅极、第一高阈值NMOS管M4的栅极、第二低阈值NMOS管M5的栅极，第一高阈值NMOS管M4的源极接地；其中第一低阈值NMOS管M3的源极和第一高阈值NMOS管M4的漏极连接至基准电压端，用于产生基准电压Vref； 第二低阈值PMOS管M2的漏极分别连接至第五低阈值NMOS管M14的漏极、第二低阈值NMOS管M5的漏极；第二低阈值NMOS管M5的源极连接至第三低阈值NMOS管M6的漏极，其中第三低阈值NMOS管M6的栅极连接至基准电压端； 第三低阈值PMOS管M8的漏极分别连接至第三低阈值NMOS管M6的源极、第四低阈值NMOS管M7的栅极和漏极，其中第四低阈值NMOS管M7的源极接地，所述第三低阈值PMOS管M8和第四低阈值NMOS管M7用于优化线性灵敏度； 第七低阈值PMOS管M13的栅极和漏极均连接至第六低阈值PMOS管M12的源极，第六低阈值PMOS管M12的栅极和漏极均连接至第五低阈值PMOS管M11的源极，第五低阈值PMOS管M11的栅极和漏极均连接至第四低阈值PMOS管M10的源极； 基准电压端分别连接至第四低阈值PMOS管M10的栅极和第五低阈值NMOS管M9的栅极，第四低阈值PMOS管M10的漏极和第五低阈值NMOS管M9的漏极均连接至第五低阈值NMOS管M14的栅极，第四低阈值PMOS管M10和第五低阈值NMOS管M9用于输出一个较高的电压到第五低阈值NMOS管M14，使其导通；其中第五低阈值NMOS管M14的源极接地，第五低阈值NMOS管M9的源极接地。

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