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龙图腾网获悉南京江智科技有限公司申请的专利具有改进的沟槽终端区和屏蔽栅沟槽接触区的功率器件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115458600B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-29发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210991728.X，技术领域涉及：H10D30/66；该发明授权具有改进的沟槽终端区和屏蔽栅沟槽接触区的功率器件是由原小明设计研发完成，并于2022-08-18向国家知识产权局提交的专利申请。

本具有改进的沟槽终端区和屏蔽栅沟槽接触区的功率器件在说明书摘要公布了：本发明公开了一种栅沟槽与终端沟槽分隔开的屏蔽栅沟槽式MOSFETs，其中至少一个终端沟槽围绕栅沟槽的外部边缘且不围绕栅金属垫片区。每个栅沟槽内的屏蔽栅极，均通过至少一个屏蔽栅沟槽接触区连至源金属，所述的至少一个屏蔽栅沟槽接触区与至少一个栅金属导线之间的距离大于100μm。此外，本发明还公开了器件结构中的击穿电压增强区和雪崩能力增强区。

本发明授权具有改进的沟槽终端区和屏蔽栅沟槽接触区的功率器件在权利要求书中公布了：1.一种屏蔽栅沟槽式器件，包括： 一个有源区，一个终端区，一个栅金属垫片区，一个中央栅金属导线和至少一个屏蔽栅沟槽接触行区； 所述有源区包括：多个沿第一轴向的栅沟槽，形成于具有第一导电类型的外延层内，所述外延层位于具有所述第一导电类型的衬底之上，所述栅沟槽包括一个具有第一有源沟槽长度的第一类型有源沟槽和一个靠近栅金属垫片区、具有第二有源沟槽长度的第二类型有源沟槽，其中，所述第一类型有源沟槽的长度大于所述第二类型有源沟槽； 所述终端区包括至少一个第一类型终端沟槽，其沿第一轴向和第二轴向围绕所述的多个栅沟槽的外部周围，其中，所述第一轴垂直于所述第二轴，所述的至少一个第一类型终端沟槽与所述的多个栅沟槽分隔开，且不围绕所述的栅金属垫片区； 多个位于所述有源区的所述多个栅沟槽，其被具有所述第一导电类型的第一类型源区所包围，所述第一类型源区位于具有第二导电类型的第一类型体区中，并接近具有所述第一导电类型的外延层的上表面，其中，每个所述的多个栅沟槽都包括一个栅极和一个屏蔽栅极；所述屏蔽栅极与所述外延层间通过第一绝缘层实现绝缘，所述栅极与所述外延层间通过栅氧化层实现绝缘，所述屏蔽栅极与所述栅极间通过多晶硅间氧化层IPO实现绝缘，所述栅氧化层围绕所述栅极，且所述栅氧化层的厚度小于所述第一绝缘层； 每个所述栅沟槽内的所述栅极，均通过一个下方具有多个栅沟槽接触区的所述中央栅金属导线连至所述栅金属垫片； 每个所述栅沟槽内的所述屏蔽栅极，均通过至少一个位于每个栅沟槽上的屏蔽栅沟槽接触区连至源金属，所述至少一个屏蔽栅沟槽接触区沿所述第二轴向位于所述至少一个屏蔽栅接触行区中，所述至少一个屏蔽栅沟槽接触区与所述栅金属导线之间的距离大于100μm，且所述中央栅金属位于所述源金属的中间附近。

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