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龙图腾网获悉上海交通大学申请的专利一种高深宽比三维银基微结构的电化学制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115216812B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-29发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210976087.0，技术领域涉及：C25D1/00；该发明授权一种高深宽比三维银基微结构的电化学制备方法是由蔡涵;丁桂甫;孙云娜;吴永进设计研发完成，并于2022-08-15向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种高深宽比三维银基微结构的电化学制备方法在说明书摘要公布了：本发明涉及一种高深宽比三维银基微结构的电化学制备方法，包括：交替进行第一阶段电镀和第二阶段电镀填充三维微结构模具以形成三维银基微结构，其中第一阶段电镀沉积的镀层的晶粒的尺寸大于第二阶段电镀沉积的镀层的晶粒的尺寸。该方法通过低应力电镀体系与高整平性电镀体系周期性交替变换沉积的无氰电镀银工艺填充三维微结构模具，能够制备高深宽比的三维银基微结构。

本发明授权一种高深宽比三维银基微结构的电化学制备方法在权利要求书中公布了：1.一种高深宽比三维银基微结构的电化学制备方法，其特征在于，包括： 在临时基板的上表面布置种子层，并在种子层上制备三维微结构模具，其中所述在种子层上制备三维微结构模具包括：在所述种子层上均匀旋涂一层负性光刻胶，通过光刻技术，依次进行前烘、光刻、后烘、显影和坚膜，形成所述三维微结构模具； 交替进行第一阶段电镀和第二阶段电镀填充三维微结构模具以形成三维银基微结构，其中第一阶段电镀沉积的镀层的晶粒的尺寸大于第二阶段电镀沉积的镀层的晶粒的尺寸； 所述第一阶段电镀包括在基础镀银溶液中加入的添加剂，其中所述添加剂包括焦磷酸钾、丁炔二醇、烟酸、糖精中一种或多种组合，所述添加剂的量为0~10gL； 所述第二阶段电镀的镀液体系包括所述基础镀银溶液中加入的添加剂形成的银镀液体系或硫酸铜体系或甲基磺酸铜体系，其中所述添加剂包括焦磷酸钾、丁炔二醇、烟酸、糖精中一种或多种组合，添加剂的量为30~60gL； 所述基础镀银溶液为碱性的无氰电镀银溶液； 所述第一阶段电镀的电镀条件包括直流电镀或脉冲电镀，平均电流密度为0.3~1.0Adm2，电镀温度为30~45℃，搅拌速率大于300rmin； 所述第二阶段电镀的电镀条件包括直流电镀或脉冲电镀，平均电流密度为1.0~2.0Adm2，电镀温度为10~25℃，搅拌速率为小于300rmin； 所述三维微结构模具的深度不小于100μm，深宽比不小于3。

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